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[期刊论文] 作者：李春圃,班士良,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：1996
ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质界面极化子的温度效应李春圃，班士良（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＥｆｆｅｃｔｏｆＰｏｌａｒｏｎｓｏｎａＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓＨｅｔｅｒｏｉｎｔｅｒｆａｃｅ...
[期刊论文] 作者：班士良,
来源：大学物理 年份：2015
受教育部高等学校物理学类专业教学指导委员会委托,由全国高校热力学与统计物理教学研究会主办,青海师范大学承办的2014年热力学与统计物理教学及学术研讨会于7月20日至7月24...
[学位论文] 作者：班士良,
来源：内蒙古大学 年份：2013
本文选取三量子阱模型，采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响. 首先，简要综述了关于多层材料量子阱结构模型的一些物理性质，总结比较了无限......
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,
来源：半导体学报 年份：2004
对GaAs／AlxGa1-xAs单异质结系统引入三角势近似异质结势，同时考虑体纵光学(L0)声子和有效近似下两支界面光学(10)声子的影响，采用变分法讨论了外界恒定磁场对束缚于近界面杂质的...
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：2003
对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响，利用变分法对磁场下Gal-xAlxAs／GaAs异质结系统中杂质态的结......
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,
来源：发光学报 年份：2004
对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系.结果...
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,
来源：内蒙古大学学报 年份：2004
对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响,利用变分法对磁场下Ga1-xAlxAs/GaAs 异质结系统中杂质...
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,
来源：物理学报 年份：2004
对应变GaN/AlxGa1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响.对GaN为衬底的闪...
[会议论文] 作者：王志强,班士良,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
对纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异质结构,假定其GaN基外沿AlxGa1-xN层采用赝晶生长技术,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,同...
Screening influence on the Stark effect of impurity states in strained wurtzite GaN/Al_xGa_(1-x)N he
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
The screening effect of the random-phase-approximation on the states of shallow donor impurities in free strained wurtzite GaN/Al x Ga 1 x N heterojunctions und...
Pressure influence on bound polarons in a strained wurtzite GaN/Al_xGa_(1_x)N heterojunction under a
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,,
来源：半导体学报 年份：2010
The binding energies of bound polarons near the interface of a strained wurtzite GaN/Al_xGa_(1-x)N het-erojunction are studied by using a modified LLP variation...
Temperature effects on interface polarons in a strained(111)-oriented zinc-blende GaN/AlGaN heteroju
[期刊论文] 作者：张敏,班士良,,
来源：半导体学报 年份：2009
The properties of interface polarons in a strained(111)-oriented zinc-blende GaN/AlxGa1-xN heterojunc-tion at finite temperature under hydrostatic pressure are...
[会议论文] 作者：李群,班士良,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
由于ZnO 缓冲层对纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO 有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致其他因素,例如：阱和右垒的尺寸,Mg 组分大小等将影响系统中形成二能级。本文考虑内建电场,导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr(o)dinger 方程,获得......
[期刊论文] 作者：杨福军, 班士良,,
来源：物理学报 年份：2004
对含有AlN插入层纤锌矿AlxGa1-xN/AlN/GaN异质结构,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,同时计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,采用数值自洽求解薛定谔方...
[期刊论文] 作者：钱文华, 班士良,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2018
考虑纤锌矿ZnO/Zn1-xMgxO非对称双量子阱中内建电场的作用,运用有限差分法自洽求解导带（价带）薛定谔方程和泊松方程,得到系统中电子（空穴）的能级和波函数,进一步采用黄金费米法则......
[期刊论文] 作者：宫箭,班士良,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2000
采用准二维模型计及Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ半导体异质结界面附近的能带弯曲效应，讨论了异质结界面极化子的基态能量，能效质量随电子面密度以及Ｃｄ组份的变化关系。......
[期刊论文] 作者：班士良,Hasb.,JE,
来源：内蒙古大学学报：自然科学版 年份：2000
将求解任波函数与转移矩阵技巧相结合，给出计算穿越任意势之透射系数的一种简单数值计算方法，该方法将被应用于抛物势和电场中的双垒势，计算所得透射系数与采用多阶势近似取得结......
[期刊论文] 作者：宫箭,班士良,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2000
对单异质结界面系统，引入三角近似异质结势，利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算，给出结合能随杂质位置、电子面密度和......
[期刊论文] 作者：朱俊,班士良,
来源：第十七届全国半导体物理学术会议 年份：2009
随着新实验现象和新型光电子器件应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注.此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使得材料能带结构、载流子有效质量、介电常数......
[期刊论文] 作者：屈媛,班士良,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2010
基于介电连续模型和Loudon单轴模型，采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN／GaN／InN／GaN／AlN量子阱的界面和局域光学声子模．结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AIN／GaN／AlN量子阱的光学......
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