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[期刊论文] 作者：山宗,
来源：齐鲁周刊 年份：2017
对于中国用户数最大的体育互联网平台虎扑而言，刚刚来到100场大关的“路人王”，作为其自主IP赛事领域的积极尝试，正在让中国业余篮球爱好者们，在这里找到属于自己的光荣与胜利。 不做键盘侠，路人王打破篮球次元壁 2016年8月2日，虎扑体育论坛上成千上万条主题帖......
[会议论文] 作者：王庶民,
来源：上海市科协第十一届学术年会专题学术年会——2013上海半导体材料学术年会 年份：2013
Outline What & why Integration of Ⅲ-Vs on SiNovel Ⅲ-Vs for infrared imagingHigh efficiency solar cellsWhat and why?First demonstration of a point-contact Ge t...
[期刊论文] 作者：王庶民,
来源：百科知识 年份：2006
2003年8月25日，耗资7亿美元的“斯皮策”太空望远镜搭乘火箭升空了。我们都知道，在地球外太空，已经有了“哈勃”望远镜，那么人们为什么还要再添一个太空望远镜呢？原来，这个“斯皮策”望远镜所观察太空的方式比较特别。它专门用于接收穿透力强的红外线，从而可以观测厚密......
[期刊论文] 作者：王庶民,
来源：吉林人大工作 年份：2009
盛世华诞,令人震撼。浮想联翩,汗颜命笔。和毛主席水调歌头,“重上井冈山”词一首,先辈遗泽,历久弥新,虽不能至,心向往之。農历已丑年十月一日夜。 舟横沧海日,立马昆仑山。 万里神州大地,盛世兵团蹁跹。 到处红旗飘动,更有礼花满天, 高者入云端。......
[期刊论文] 作者：王庶民,金耀根,
来源：光散射学报 年份：1989
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[会议论文] 作者：王庶民,宋禹忻,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚...
[期刊论文] 作者：钱士雄,王庶民,
来源：量子电子学 年份：1987
本文从四波混频的基本方程出发,采用量子方法推导了在四波混频情况下产生压缩态的基本结果,得到了压缩系数与四波混频介质的非线性极化Starting from the basic equations...
[期刊论文] 作者：王庶民,张立瑶,张凡,
来源：科技纵览 年份：2015
中科院上海微系统与信息技术研究所的研究团队利用双生长室分子束外延生长系统进行了室温中红外高性能半导体激光器材料的研究，取得了以稀铋化合物材料为代表的一系列跨越性成......
[会议论文] 作者：邵军,马文全,王庶民,
来源：第16届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：张俊春,王庶民,董晨,
来源：大科技 年份：2021
随着电信运营行业竞争的加剧,宽带客户流失率日益上升,因此提高客户宽带流失预测的精确率显得尤为重要.而在电信宽带客户流失数据中,数据集存在着明显的不平衡问题,会导致结...
[期刊论文] 作者：张俊春,王庶民,徐峰,
来源：价值工程 年份：2021
目前电信行业市场已逐渐趋于饱满,增加新客户极其不易,控制客户流失成为了目前三大运营商最需要解决的问题之一。文章主要基于生存分析与深度学习理论,证明深度学习在生存分析中的应用在预测风险方面表现优于或优于其他生存方法。通过Deep Surv模型,使该模型与......
[期刊论文] 作者：王庶民,钱士雄,李郁芬,
来源：光散射学报 年份：1990
本文讨论了光场与 V 型三能级系统近共振相互作用的半经典模型,由此求出了近共振激发时激发态的粒子数分布及由此产生的激发态受激喇曼散射(ESSRS)的增益,并研究了弛予,光强...
[会议论文] 作者：潘文武,王庶民,吴晓燕,王朋,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
稀Bi半导体材料具有大的带隙收缩效率和强的自旋轨道分裂能,这些性质使它在光通讯和中红外光电子器件中具有极大的应用潜力而备受关注[1-3].近期,我们通过气态源分子束外...
[会议论文] 作者：邵军,王庶民,马文全,查访星,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
InAs/GaSb超晶格具有Ⅱ型能带结构,能够抑制长波辐射的俄歇复合、提高载流子寿命.与目前窄禁带碲镉汞(HgCdTe,MCT)技术发展水平相比,InAs/GaSb通过调整层厚而非组分来控制带...
[会议论文] 作者：朱亮,祁镇,邵军,宋禹忻,王庶民,
来源：第十七届全国凝聚态光学性质会议 年份：2014
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[会议论文] 作者：周书星,艾立鹍,徐安怀,王庶民,齐鸣,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带...
[会议论文] 作者：周书星,艾立鹍,徐安怀,王庶民,齐鸣,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的研究热点之一.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ...
[会议论文] 作者：齐鑫,查访星,宋禹忻,王庶民,邵军,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表...
[会议论文] 作者：朱亮,宋禹忻,祁镇,王庶民,邵军,
来源：第十七届全国凝聚态光学性质会议 年份：2014
铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载...
[会议论文] 作者：齐鑫,宋禹忻,邵军,王庶民,查访星,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表...
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