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[期刊论文] 作者：杜川华, 周开明, 熊涔,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2017
借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于...
[会议论文] 作者：熊涔博,李和言,马彪,
来源：第十一届摩擦学大会 年份：2013
车用湿式离合器会因为摩擦元件接触压力不均匀产生热斑现象,严重的热斑现象会使得热斑区域产生不可恢复的塑性变形导致湿式离合器分离困难以至于过早失效,这个过程被称为热失稳.采用接触压力测试装置对湿式离合器中的对偶钢片表面的接触压力进行测量,得到钢片上......
[期刊论文] 作者：熊涔博,马彪,李和言,于亮,,
来源：华中科技大学学报(自然科学版) 年份：2017
建立了多片离合器有限厚摩擦元件在滑摩过程中热流分配系数的有限元计算模型,揭示了热流分配系数随滑摩时间变化并最终达到稳态值的过程.使用解析法获得了单一材料摩擦元件之...
[期刊论文] 作者：熊涔博,马彪,李和言,于亮,,
来源：科学技术与工程 年份：2016
针对多片离合器滑摩过程,研究了摩擦元件不同接触比对钢片温度场的影响。建立了有限厚钢片在移动热流输入作用下的温度场模型。采用有限元方法求解,得到钢片温度场及平均温度...
[期刊论文] 作者：段丙皇,熊涔,陈泉佑,赵洪超,,
来源：数值计算与计算机应用 年份：2020
本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过程中缺陷的动力学演化过程,......
[期刊论文] 作者：熊涔博,马彪,李和言,于亮,朱礼安,,
来源：科学技术与工程 年份：2016
在多片离合器滑摩过程中,摩擦元件之间的热流分配系数会受厚度和材料特性的影响。建立有限厚摩擦元件的接触传热模型,用有限元耦合计算方法获得了摩擦元件热流分配系数的变化...
[会议论文] 作者：唐杜,贺朝会,雷鸣,李永宏,熊涔,张晋新,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
随着半导体器件尺寸的减小,离子入射产生的电离径迹尺寸可以覆盖两个甚至数个存储单元,从而引起单粒子效应的电荷沉积和收集过程.本文通过解析计算,认为入射离子电离产生的次...
[期刊论文] 作者：熊涔博,马彪,李和言,张凤莲,朱礼安,,
来源：机械传动 年份：2016
在湿式多片离合器滑摩过程中,摩擦元件之间的热流分配会受到厚度和摩擦材料特性的影响。针对有限厚摩擦元件,建立厚度方向上的有限元耦合传热模型,计算摩擦元件之间热流分配...
[期刊论文] 作者：张凤莲,马彪,李和言,熊涔博,朱礼安,,
来源：广西大学学报(自然科学版) 年份：2016
湿式多片离合器需要润滑冷却来防止高转速大扭矩引起的高温烧蚀。工程实际中,多通过经验来确定需求流量值,为了从理论上确定冷却所需合适的润滑油流量,根据热平衡理论建立了...
[期刊论文] 作者：李和言,王宇森,熊涔博,陈飞,李明阳,杨硕,,
来源：机械工程学报 年份：2018
针对离合器滑摩过程中摩擦副元件温度场和应力场分布,建立摩擦热流密度与真实接触面积的动态滑摩过程分析模型,通过动态测温和静态比压试验验证了理论模型对接触比压分布研究...
[会议论文] 作者：张晋新,贺朝会,唐杜,熊涔,郭红霞,李培,王信,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响情况.分析比较不同偏...
[期刊论文] 作者：张晋新,贺朝会,郭红霞,唐杜,熊涔,李培,王信,,
来源：物理学报 年份：2014
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下...
[会议论文] 作者：张晋新,贺朝会,郭红霞,唐杜,熊涔,李培,王信,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响情况.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系,获得SiGe HBT......
[期刊论文] 作者：唐杜, 贺朝会, 臧航, 李永宏, 熊涔, 张晋新, 张鹏,,
来源：物理学报 年份：2016
本文结合分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法,研究了单个粒子入射硅引起的位移损伤缺陷的产生和演化过程;基于Shockley-Read-Hall理论计算了单个粒子入射引起的位移损伤缺陷...
[期刊论文] 作者：马彪,陈飞,李和言,熊涔博,王宇森,李耿标,,
来源：兵工学报 年份：2016
针对湿式换挡离合器结合过程温升特性,基于集总参数法将离合器液压系统各元件简化为节点,建立了系统热阻网络模型与试验系统,研究获得了冷却润滑流量和转速差对离合器温升的...
[会议论文] 作者：刘书焕,熊涔,李永宏,李达,郭晓强,林东升,陈伟,张伟,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增益变化与辐照剂量存在线行反比关系,且增益...
[会议论文] 作者：刘书焕,李达,熊涔,李永宏,郭晓强,林东升,陈伟,张伟,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增益变化与辐照剂量存在线行反比关系,且增益损伤系数与器件注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电......
[期刊论文] 作者：唐杜,贺朝会,熊涔,张晋新,臧航,李永宏,张鹏,谭鹏康,,
来源：强激光与粒子束 年份：2016
提出了一种计算超低泄漏电流硅二极管的单粒子位移损伤电流的方法.采用SRIM 软件计算了252Cf源的裂变碎片入射二极管产生的初级撞出原子的分布,并采用Shockley-Read-Hall复合...
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