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[期刊论文] 作者：曹东峰,,
来源：语文学刊 年份：2014
本文主要通过《望海潮》和《雨霖铃》分析柳永词铺叙手法,进而把握柳永词的铺叙规律。...
[期刊论文] 作者：郑凤瑜,
来源：世界文化 年份：1996
日本的室内海潮和雪坡一瞥郑凤瑜编译假如你属于那一群日夜为工作忙碌、无暇休息的工薪族中的一员，有什么比在海滨呆上一天更惬意呢？但是天气可能变幻莫测，还有那喜怒无常的波浪...
[期刊论文] 作者：孙和平,B.Ducarme,许厚泽,L.Vandercoilden,徐建桥,周江存,
来源：中国科学(D辑:地球科学) 年份：2005
利用国际地球动力学合作观测网络中20个台站22个高精度重力潮汐观测系列综合研究了目前使用的海潮和固体潮模型的适定性.对原始观测数据实施仔细的预处理,利用国际标准算法计...
[期刊论文] 作者：孙和平,B.Ducarme,
来源：中国科学D辑 年份：2004
利用国际地球动力学合作观测网络中20个台站22个高精度重力潮汐观测系列综合研究了目前使用的海潮和固体潮模型的适定性.对原始观测数据实施仔细的预处理,利用国际标准算法计...
[期刊论文] 作者：陈江浩,,
来源：地球物理学进展 年份：2019
对海潮负荷位移进行研究,在一定程度上能够了解到地球内部的结构和属性.本文以M2潮波为例,采用不同海潮模型及格林函数,计算中国台湾岛地区不同海潮模型和地球模型的海潮负荷位移之间的矢量差,通过矢量差来评价不同海潮和地球模型对中国台湾岛地区海潮负荷位移的影响...
[期刊论文] 作者：方振宁,,
来源：缤纷家居 年份：2006
宫岛严岛神社地理被列为世界文化遗产的日本严岛神社,位于广岛县西南部宫岛町的宫岛上。宫岛和松岛,天桥立并列为“日本三景”,是日本中世纪文化的精髓体现。宫岛是长9公里、...
[期刊论文] 作者：连军, 海潮和,,
来源：半导体学报 年份：2004
制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOICMOS器件 ,并对其关键工艺进行了详细阐述 .相对于双多晶硅栅器件 ,在不改变阈值电压的前提下 ,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度 ,进而提高...
[期刊论文] 作者：连军,海潮和,
来源：半导体学报 年份：2005
采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别...
[期刊论文] 作者：连军,海潮和,
来源：微电子学 年份：2005
对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究.由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS的阈值电压都得到了优化.随硅膜厚度的减小,...
[期刊论文] 作者：海潮和,靳伟,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手，以０．６μｍ ＮＭＯＳ工艺为基础，设计并研制了在芯片内部具有高Ｑ值折平面电感的ＳＯＩ低噪声放大器电路。电路在１．５Ｖ电压下，中心频率１．８ＢＧＨｚ时峰值增益为２４ｄＢ，浮体ＳＯＩ器件......
[期刊论文] 作者：连军,海潮和,
来源：半导体学报 年份：2005
采用新的工艺技术，成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件．详细阐述了其中的关键工艺技术．器件具有接近理想的亚阈值特性，nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为65...
[期刊论文] 作者：连军,海潮和,
来源：半导体学报 年份：2005
制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件，并对其关键工艺进行了详细阐述．相对于双多晶硅栅器件，在不改变阈值电压的前提下，可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度，进而提高迁移率．由......
[期刊论文] 作者：连军,海潮和,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究，开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。NMOS和PMOS的阈值电压绝对值比较接近，且关态漏...
[会议论文] 作者：赵发展,海潮和,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验,结合膜的生成原理对实验结果进行了分析,并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅生长速率慢的原因进行了详细阐述,提出了一...
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET，降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感...
[期刊论文] 作者：张志勇,海潮和,
来源：电子与封装 年份：2005
本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管.其中采用的是深沟和LOCOS两种隔离联合的隔离方法;EB间自对准是通...
[期刊论文] 作者：毕津顺,海潮和,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应...
[期刊论文] 作者：海潮和,陈焕章,
来源：半导体学报 年份：1999
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ，它具有良好的器件特性和抵制短沟道效......
[期刊论文] 作者：李秀琼,海潮和,
来源：半导体学报 年份：1994
本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究。结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ。器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小。此方法与常......
[期刊论文] 作者：张志勇,海潮和,
来源：微电子学 年份：2003
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容....
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