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[学位论文] 作者：段焕涛,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
GaN基宽禁带半导体是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的材料,深受国际上的关注。因此,GaN和AlxGa,-xN/GaN异质结构材料的研究已成为当前半导体科学技...
Effect of nucleation layer morphology on crystal quality,surface morphology and electrical propertie
[期刊论文] 作者：段焕涛,郝跃,张进城,,
来源：半导体学报 年份：2009
Nucleation layer formation is a key factor for high quality gallium nitride(GaN)growth on a sapphire substrate.We found that the growth rate substantially affec...
Effect of a high temperature AlN buffer layer grown by initially alternating supply of ammonia on Al
[期刊论文] 作者：段焕涛,郝跃,张进成,,
来源：半导体学报 年份：2009
The effect of a high temperature AlN buffer layer grown by the initially alternating supply of ammonia (IASA) method on AlGaN/GaN heterostructures was studied.T...
[会议论文] 作者：张进城,倪金玉,段焕涛,郝跃,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
本文主要通过MOCVD反应室喷淋头的改进和生长工艺参数的优化,将GaN外延薄膜的厚度均匀性由9.9％提高到1.39％,同时明显提高了生长速率,节约MO源60％以上。...
[期刊论文] 作者：高志远,段焕涛,郝跃,李培咸,张金凤,
来源：材料研究学报 年份：2008
研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ／Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑，并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理．由衬底扩散上出来的Al原子......
[期刊论文] 作者：高志远,段焕涛,郝跃,李培成,张金凤,
来源：材料研究学报 年份：2004
研究了用MOCVD设备在高温和低V/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原...
[期刊论文] 作者：高志远,段焕涛,郝跃,李培咸,张金凤,,
来源：材料研究学报 年份：2008
研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al...
[期刊论文] 作者：陈炽,郝跃,冯辉,杨林安,马晓华,段焕涛,胡仕刚,,
来源：半导体学报 年份：2009
Based on a self-developed AlGaN/GaN HEMT with 2.5 mm gate width technology on a SiC substrate,an X-band GaN combined solid-state power amplifier module is fabri...
[期刊论文] 作者：许志豪,张进成,张忠芬,朱庆玮,段焕涛,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
AlGaN/GaN heterostructures on vicinal sapphire substrates and just-oriented sapphire substrates (0001) are grown by the metalorganic chemical vapor deposition m...
[期刊论文] 作者：段焕涛,谷文萍,张进成,郝跃,陈炽,倪金玉,许昇瑞,,
来源：半导体学报 年份：2009
The crystal quality, stress and strain of GaN grown on 4H-SiC and sapphire are characterized by high resolution X-ray diffraction(HRXRD) and Raman spectroscopy....
High-electric-field-stress-induced degradation of SiN passivated AlGaN/GaN high electron mobility tr
[期刊论文] 作者：谷文萍,段焕涛,倪金玉,郝跃,张进城,冯倩,马晓华,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are fabricated by employing SiN passivation, this paper investigates the degradation due to the high-electr...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2009
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在（11^-02）r面蓝宝石和（0001）c面蓝宝石上分别生长了（11^20......
[期刊论文] 作者：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明,
来源：西安电子科技大学学报（自然科学版） 年份：2004
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2009
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在(1■02)r面蓝宝石和(0001)c面蓝宝石上分别生长了(1...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,郝跃,段焕涛,张进城,张金凤,周晓伟,李志明,倪金玉,,
来源：半导体学报 年份：2009
Nonpolar a-plane [110] GaN has been grown on r-plane [1■02] sapphire by MOCVD, and investigated by high resolution X-ray diffraction and atomic force microsc...
[期刊论文] 作者：张进成,郑鹏天,董作典,段焕涛,倪金玉,张金凤,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2009
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同...
[期刊论文] 作者：谷文萍,陈炽,段焕涛,郝跃,张进城,王冲,冯倩,马晓华,,
来源：半导体学报 年份：2009
Unpassivated/passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were exposed to 1.25 MeV 60Co γ-rays at a dose of 1 Mrad(Si). The saturation drain...
[期刊论文] 作者：许志豪,张进成,段焕涛,张忠芬,朱庆玮,徐浩,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2009
The stresses,structural and electrical properties of n-type Si-doped GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are systemically studied....
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