搜索筛选:
搜索耗时0.6651秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 66 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:, 来源:陶瓷 年份:2008
中国陶瓷工业协会的樊瑞新先生日前表示,“希望比较大”,国家有关部门正在考虑调整陶瓷产品的出口退税。据悉,中国陶瓷工业协会已于上月...
[期刊论文] 作者:樊瑞新, 来源:材料科学与工程 年份:2000
绝缘体上生长的薄单晶硅膜(SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度,在深亚微米VLSI技术中,具有很大的优势和潜力。本文简单地......
[期刊论文] 作者:樊瑞新,, 来源:中国医药导刊 年份:2010
目的:研究香菇多糖(LNT)对卵巢癌细胞株SKOV3增殖及其裸鼠移植瘤生长的抑制作用。方法:LNT与卵巢癌细胞株SKOV3其间体外培养,绘制细胞生长曲线.观察LNT对卵巢瘿细胞株SKOV3生长的影......
[期刊论文] 作者:樊瑞新, 来源:真空科学与技术 年份:2000
通过改变蒸发源,衬底温度和氧的流量,用反应蒸发法制备了不同晶粒尺寸的Si/SiOx薄膜,用X射线衍射,X光电子能谱和红外光谱分别测试了薄膜的结构,组分及氧在薄膜中的存在形态。......
[期刊论文] 作者:樊瑞新,, 来源:中国医药导刊 年份:2010
慢性浅表性胃炎(CSG)是消化系统的一种常见病,属慢性胃炎中的一种.该病是指胃黏膜呈慢性浅表性炎症,其发病原因不一,患者可有不同程度的消化不良症状,进食后上腹部不适,隐隐作...
[期刊论文] 作者:樊瑞新, 来源:半导体技术 年份:1999
介绍了液相外延技术制备了Si/SiO2SOI结构的方法,系统和几个重要环节及当前发展状况,同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度SOI结构具有广阔前景。...
[期刊论文] 作者:樊瑞新, 来源:陶瓷科学与艺术 年份:2009
2008年是中国经济最困难的一年,在过去的一年里,无论是年初的雨雪冰灾,还是年中的地震灾害;无论是国内股市暴跌,房地产业低迷,还是国际油价大幅震荡,国际金融危机;无论是企业用工制度......
[期刊论文] 作者:樊瑞新,, 来源:中国审判 年份:2007
案由:铁路土地使用合同纠纷进城收购废品的农民王遒举1987年1月与铁路土地管理部门签订合同,租用铁路土地120平方米用于收购废品。合同约定:铁路土地交王遒举临时使用1年,国...
[会议论文] 作者:樊瑞新, 来源:第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:1999
[会议论文] 作者:樊瑞新, 来源:第十二届全国半导体物理学术会议 年份:1999
[期刊论文] 作者:樊瑞新,, 来源:人民司法 年份:2008
案情王某因家庭琐事与其亲属在路边发生争执,混乱中将随身携带装有10000元现金的牛皮纸信封掉在地上,恰逢冯某骑摩托车由此经过时被车轮轧蹦至一旁,冯某停车欲拾,但被站在自...
[期刊论文] 作者:樊瑞新,, 来源:中国审判 年份:2006
2005年12月2日晚,郑州市民王和平因家庭琐事与其亲属在路边发生冲突,混乱中将随身携带装有1万元现金的牛皮纸信封掉在地上。恰逢冯某骑摩托车由此经过,冯某停车欲拾,被站在自...
[期刊论文] 作者:樊瑞新, 来源:茶世界 年份:2019
[学位论文] 作者:樊瑞新, 来源:浙江大学 年份:2023
随着科技的发展,室内定位在智慧工厂、智能家居、紧急救援等场景下都有广泛应用。由于受到建筑物的遮挡,室内环境下无法使用全球导航卫星系统进行定位。在目前各种方案中,超宽带(Ultra-Wideband,UWB)定位具有功耗低、精度高、抗干扰性强的优势,是室内定位的理想方......
[会议论文] 作者:陈修治, 樊瑞新,, 来源: 年份:2004
一.辐射法测量硅的表面温度的意义对于直拉硅单晶生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关键。为此首先必须建立可靠的分...
[期刊论文] 作者:税琼,樊瑞新, 来源:半导体技术 年份:1999
着重探讨了氧的低温异常扩散现象,研究了氮在高温下扩散速率、扩散机理方面的进展,并对上前存在的一些尚未解决的问题进行了讨论。...
[会议论文] 作者:陈修治,樊瑞新, 来源:第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:1999
[期刊论文] 作者:杨德仁,樊瑞新, 来源:材料科学与工程 年份:1994
作者利用双晶X射线衍射技术,研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度,但影响损伤层内的微观应力,在一定范围内,切割速率越大,损伤层的微观应力......
[期刊论文] 作者:樊瑞新,阙端麟, 来源:Rare Metals 年份:1999
[期刊论文] 作者:杨德仁,樊瑞新, 来源:半导体学报 年份:1996
借助于电学测量和低温红外分析技术,研究了微氮硅单昌中新施主的形成特性在650℃长时间热处理后,微氮硅单晶不产生新施主,其中氮破坏了新施主的可能形核中心。低温450℃预退火能促进新......
相关搜索: