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[期刊论文] 作者：柯春和,
来源：世界电子元器件 年份：1997
曾在1988年6月于美国召开了第一届国际真空微电子学会议(1th IVMC′88),它标志了一门新学科——真空微电子学(Vacuum Microelectronics)的正式诞生。此后每年召开一次,1...
[期刊论文] 作者：Dr.Henry,F.Gray,柯春和,
来源：今日电子 年份：1997
译者序 近年来真空微电子学的发展十分迅猛。去年七月在俄罗斯圣彼德堡召开的第九届国际真空微电子学会议 上有166篇论文发表,本文为这次大会的特邀报告。 值得注意的是几家...
[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,
来源：真空科学与技术 年份：1997
概述场致发射平板显示吕件的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对ＦＥＤ作出评价，介绍国际上在ＦＥＤ方面的竞争，展望了ＦＥＤ的前景。...
[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,
来源：真空电子技术 年份：1994
综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开发场发射平板显示器件研究的情况，概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。...
[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,
来源：真空电子技术 年份：1996
场发射显示器件正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍了ＦＥＤ的发展历史，列举了ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点，介绍了ＦＥＤ的工作原理，制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。......
[期刊论文] 作者：柯春和,杜秉初,
来源：光电子技术 年份：1996
概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。...
[会议论文] 作者：柯春和,李兴辉,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十届年会 年份：1995
...
[期刊论文] 作者：刘联宝,柯春和,,
来源：真空电子技术 年份：1985
本文对陶瓷-金属封接技术发展的历史作了简要的回顾;总结了封接技术在现代科学技术各领域中的应用并介绍了近年来这一技术的新进展,特别是我国在这方面做出的贡献。In this...
[期刊论文] 作者：彭自安,柯春和,李庠,
来源：云南大学学报(自然科学版) 年份：1992
早在40年代,K.R.Shoulders就提出了真空微电子器件的一些新设想.1961年发表了真空微电子器件的系统的论证文章.其后SRI开展了系统的研究工作,直到 1988年6月在美国召开了首届...
[期刊论文] 作者：Dr.Henry,F.Gray,柯春和,李兴辉,
来源：今日电子 年份：1997
译者序 近年来真空微电子学的发展十分迅猛。去年七月在俄罗斯圣彼德堡召开的第九届国际真空微电子学会议 上有166篇论文发表,本文为这次大会的特邀报告。 值得注意的是几家...
[期刊论文] 作者：殷志强,柯春和,严樟根,,
来源：真空科学与技术 年份：1982
根据弹性理论对现在在电真空技术中采用日多的薄壁瓷筒与金属筒的端面封接(亦称对封)的应力作了系统的分析与计算。导出了封接应力的一系列计算公式,包括挠度、轴向应力、周...
[会议论文] 作者：彭自安,冯进军,柯春和,李兴辉,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十届年会 年份：1995
...
[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,冯进军,李兴辉,
来源：真空电子技术 年份：1994
综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。In recent...
[期刊论文] 作者：冯进军,彭自安,柯春和,李兴辉,
来源：电子器件 年份：1994
利用薄膜边缘的强电场，可以制成场致发射电子源，它已成为真空微电子学的一个重要组成部分。这种类型的边缘场发射体阵列，杂散电容低，很适合于超高速器件，用它作成的开关元件，开关速......
[期刊论文] 作者：柯春和,彭自安,陈其略,胡汉泉,
来源：真空科学与技术 年份：1997
概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。This review summarizes the t...
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