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[期刊论文] 作者：,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2004
第七届中国青年科技奖近日公布 ,我校微电子所所长杨银堂教授榜上有名 .杨银堂教授曾承担完成了国家和部级以上多项科研项目 ,并取得重要成果 .他负责完成的“微波ＥＣＲＣＶＤ技术”解决...
[期刊论文] 作者：杨银堂,付俊兴,
来源：仪器仪表学报 年份：1997
半导体基片上薄膜应力的测试装置＊杨银堂付俊兴周端孙青（西安电子科技大学西安７１００７１）０引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着...
[期刊论文] 作者：杨银堂,付俊兴,周端,孙青,
来源：仪器仪表学报 年份：1997
半导体基片上薄膜应力的测试装置＊杨银堂付俊兴周端孙青（西安电子科技大学西安７１００７１）０引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子科技 年份：2008
我校校长段宝岩教授、副校长杨银堂教授等出席了聘任仪式。聘任仪式上，通信工程学院院长张海林教授首...
[期刊论文] 作者：,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2020
针对国家重大工程、航空航天、无人系统、消费电子等应用对远距离三维感知的需求,西安电子科技大学的朱樟明、杨银堂教授研究团队设计了dToF SPAD激光雷达传感器芯片,在单芯...
[期刊论文] 作者：,
来源：电信技术 年份：2017
包括西安电子科技大学副校长、天线系统产业联盟理事长杨银堂和中国工程院院士、天线系统产业联盟主席段宝岩等众多业内专...
[期刊论文] 作者：,
来源：电信工程技术与标准化 年份：2017
本次会议邀请产学研用各方领导专家,包括西安电子科技大学副校长、天线系统产业联盟理事长杨银堂和中国工程院院...
[期刊论文] 作者：本刊讯,,
来源：电信工程技术与标准化 年份：2017
本次会议邀请产学研用各方领导专家,包括西安电子科技大学副校长、天线系统产业联盟理事长杨银堂和中国工程院院...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子世界 年份：2016
中国电子学会理事、陕西省电子学会理事长、西安电子科技大学杨银堂副校长、北京理工大学信息与电子学...
[期刊论文] 作者：杨银堂,
来源：微电子技术 年份：2000
...
[期刊论文] 作者：杨银堂,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1998
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题。...
[期刊论文] 作者：杨银堂,
来源：软件（教育现代化）（电子版） 年份：2004
“数学有效课教学”是指通过数学教学活动，学生在数学上有提高，有进步，有收获。更具体地说：学生在认知上，从不懂到懂，从少知到多知，从不会到会；在情感上，从不喜欢到喜欢，从不热爱到热爱......
[学位论文] 作者：杨银堂,
来源：西安交通大学 年份：1999
该文系统地研究了基于压电原理的、与硅集成电路工艺兼容的铁电薄膜微电子机械系统(MEMS)的原理、设计工艺和特性....
[期刊论文] 作者：邓军,杨银堂,,
来源：微电子学与计算机 年份：2010
插值滤波器性能直接影响到全数字接收机的误码率,设计性能良好且易于硬件实现的插值滤波器是设计全数字接收机的关键.在对已有的拉格朗日立方插值滤波器Farrow结构进行分析和...
[期刊论文] 作者：邓军,杨银堂,,
来源：航空计算技术 年份：2010
在数字滤波平方定时的频域算法基础上,采用了前端进行带通滤波和后端实施卡尔曼滤波的处理方法对其进行改进。带通滤波器减小了定时误差估计的方差,而卡尔曼滤波则降低了整个...
[期刊论文] 作者：邓军,杨银堂,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2010
插值滤波器的设计是全数字接收机中码元同步算法的关键技术.本文主要探求一种适合于VLSI实现的插值滤波器结构,在拉格朗日立方插值滤波器的Farrow结构基础上,融入了流水线技...
[期刊论文] 作者：陈剑,杨银堂,,
来源：电子科技 年份：2007
结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,...
[期刊论文] 作者：赖睿,杨银堂,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2009
提出了一种基于神经网络的红外焦平面阵列(IRFPA)非均匀性自适应校正方法,重新设计了隐含层结构以获得更接近真实信号的期望信号,此外,还将变步长归一化LMS(VSS-NLMS)自适应...
[期刊论文] 作者：周端,杨银堂,
来源：光学精密工程 年份：1997
研究和实现了采用面阵ＣＣＤ器件的半导体材料应力测试仪。介绍了测量原理，设计完成了相应的光学测量系统、硬件控制系统和控制测量所需的软件。最后介绍了对硅上ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４膜应力实际测量的......
[期刊论文] 作者：刘莉,杨银堂,,
来源：西北大学学报(自然科学版) 年份：2010
目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则...
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