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[期刊论文] 作者：杨沁清,冷传友,
来源：中国医院药学杂志 年份：1996
奥美拉唑的不良反应杨沁清，冷传友（乳山市人民医院子乳山２６４５００）奥美拉唑（ＯｍｅｐｒａｚｏｌｅＯＭＥ商品名洛赛克Ｌｏｓｅｃ）是一种新型强有力的胃酸分泌抑制剂［１］，用于治疗消化道溃疡。...
[期刊论文] 作者：冷传友,杨沁清,
来源：康复与疗养杂志 年份：1996
散发性戊型肝炎９９例临床分析（摘要）冷传友，杨沁清１９９４年１月～１９９４年１２月，我们在住院的急性散发性肝炎病例中查出戊型肝炎（ＨＥ）９９例，现将其临床特点分析如下。...
[期刊论文] 作者：李成,杨沁清,
来源：半导体学报 年份：1999
本文提出一种新型隐埋Ｓｉ／ＳｉＯ２Ｂｒａｇｇ反射器结构的Ｓｉ基共振腔型光电探测器，该结构具有与集成电路相兼容的特点，理论计算表明量子效率较普通光电探测器提高了３￣４倍。......
[期刊论文] 作者：杨沁清,崔堑,
来源：半导体学报 年份：1997
采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发......
[期刊论文] 作者：杨沁清,李成,
来源：世界产品与技术 年份：1999
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[期刊论文] 作者：司俊杰,杨沁清,
来源：半导体学报 年份：1997
根据ＭＢＥ实际生长条件，采用在应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＭＱＷ结构中同应变相关的Ｇｅ的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ｇｅ在Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＭＱＷ中的扩散方程，模拟出了ＭＱＷ的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长......
[期刊论文] 作者：李成,杨沁清,
来源：半导体学报 年份：2000
报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到了 1 .3μm以上波段 .在 1 .3μm处量子效率...
[期刊论文] 作者：司俊杰,杨沁清,
来源：半导体光电 年份：1997
硅基光电子学无疑是今后光电子学发展的方向，这就要求硅基材料能够满足发光器件的要求，从而达到光电集成的目的。因为硅体具有非直接带隙的特点，共发光效率低，所以利用硅基低维量......
[期刊论文] 作者：杨沁清,张心中,
来源：临床荟萃 年份：2000
为探讨钙通道阻滞剂 (CA)异搏定在哮喘发病机制中对血小板聚集功能的影响 ,我们对 82例哮喘患者进行了观察 ,现报道如下。1 资料与方法1.1 临床资料 将 82例哮喘急性发作...
[会议论文] 作者：杨沁清,王玉田,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：冷传友,杨沁清,,
来源：康复与疗养杂志 年份：1993
我们从1990年7月～1992年3月采用高压氧加谷维素治疗偏头痛20例,男8例,女12例,年龄24～53岁,平均年龄36.4岁。典型3例,普通型17例。病程3个月～12年,平均2年3个月。20例病人均经 CT...
[期刊论文] 作者：冷传友,杨沁清,,
来源：康复与疗养杂志 年份：1993
高压氧在临床上治疗心绞痛、糖尿病、难治性颈椎病、突发性耳聋、肾病、病毒性肝炎、脑损伤和脑衰竭、眼底病及先兆性流产等疾病方面的经验及进展进行综述。阐明高压氧在临床...
[期刊论文] 作者：杨沁清,高俊华,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这...
[期刊论文] 作者：李成,杨沁清,等,
来源：光子学报 年份：2000
随着波分复用技术的发展，共振腔增强（RCE）探测器由于具有波长选择特性和高和量子效率得到重视和发展。本文报道了采用智能剥离和溶胶－凝胶方法研制出一种可用于Si基RCE光电探测器......
[期刊论文] 作者：朱育清,杨沁清,
来源：光子学报 年份：1997
本文采用传输矩阵的方法计算了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布，光场限制因子和有效吸收系数的影响，并给出了优化设计的结果。...
[期刊论文] 作者：杨沁清,高俊华,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最...
[期刊论文] 作者：刘育梁,杨沁清,
来源：半导体学报 年份：1996
本文首次提出了一种新型的环形ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ波导探测器结构，器件的主体由３μｍ宽的环形波导构成，器件的输入端是８μｍ宽的波导，这两部分通过劈形波导过渡连接，各部分经过优化设计，可以同时实现高的耦......
[期刊论文] 作者：雷红兵,杨沁清,
来源：半导体学报 年份：1999
本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入饵的发光特性，富硅氧化硅薄膜采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入饵，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０－３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光；发光强度随温度升高而下降，其温度猝灭......
[期刊论文] 作者：雷红兵,杨沁清,
来源：半导体学报 年份：2000
饵离子在硅中呈现弱施主特性，Ｏ、Ｅｒ双掺杂可提高施主浓度两个数量级，氧杂质与饵离子形成复合体，其施工主能级可能是饵离子恨光能量转换的重要通道，提出了掺饵硅光致发光激子传递能量......
[期刊论文] 作者：李成,杨沁清,等,
来源：半导体学报 年份：2001
利用光电流谱，结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散，退火后的二极管的截止波长有显著的减小。...
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