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[期刊论文] 作者：杨功铭,
来源：微电子学 年份：2004
二 静态性能 2.1. 分辨率(一般术语) Resolution (general term) 注1.分辨率是一个设计参数,它只有标称值; 注2.分辨率可用不同形式来表达; 注3.只要不产生歧义(例如,已给定...
[期刊论文] 作者：杨功铭,
来源：微电子学 年份：1990
三、动态特性(Dynamic performance) 3.1 ADC的转换时间(t_c) Conversion time (of an ADC)(t_c) 指从命令到完成转换并在转换器的输出出现模拟输入值的完全数字表达这一整...
[期刊论文] 作者：杨功铭,
来源：科技经济导刊 年份：2021
随着高等教育的不断发展,很多高校开始引入一校多区的办学模式,共享教育资源,扩展教学发展空间.本文据此分析了VPN技术组成,针对性指出了其在高校财务信息化中的应用措施,以...
[期刊论文] 作者：杨功铭,
来源：魅力中国 年份：2021
随着信息技术的快速发展,高校财务工作也开始引入信息系统,工作内容得到延伸,超出了传统会计界定范围.同时由于近年来高校教学和科研经费大幅度,高校应改变以往的财务管理模...
[期刊论文] 作者：B.Y.Mao,杨功铭,
来源：微电子学 年份：1988
研究了用注入掩埋氧化物的绝缘体上的硅(SOI)作衬底、并经不同的注入后退火处理而制作的CMOS器件的总剂量特性。所测量到的正面沟道SOI/CMOS器件的阈值电压漂移、亚阈值电压...
[期刊论文] 作者：陈星弼,杨功铭,
来源：微电子学 年份：1988
本文用解析方法找出了具有横向结构和深结的功率MOSFET漂移区中的电场分布。从这个分析出发,推导出了能取得最小串联电阻并保证有一定结击穿电压的偏置栅功率MOSFET中漂移区...
[期刊论文] 作者：B.Jayant Baliga,杨功铭,
来源：微电子学 年份：1989
对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型...
[期刊论文] 作者：J.W.米切尔,杨功铭,
来源：微电子学 年份：1985
用于器件制造工艺中的电子级纯气体和易挥发性化学试剂的可靠的痕量鉴定是目前痕量分析工作中的新难题。本文概括了分析这类化学制品的最新进展和存在的问题。这类物质的绝大...
[期刊论文] 作者：Terry Dear,杨功铭,
来源：微电子学 年份：1987
讨论了一种可为工厂管理的不同领域提供有效的模拟手段和帮助的综合性计算机信息系统的实现。指出了这些系统的优点和缺陷,考察了影响它们成功实现的诸因素。Discusses the...
[期刊论文] 作者：Davies,杨功铭,
来源：微电子学 年份：1988
在给定的击穿电压条件下,为了获得最小导通比电阻,采用了一个二维数字模拟程序来确定功率VDMOS结构的设计原则。为了充分考虑反型层和积累层以及VDMOS器件单元间距对击穿电压...
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