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[学位论文] 作者：李述体,,
来源： 年份：2002
宽禁带III-Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在...
[期刊论文] 作者：李述体,
来源：中国科教创新导刊 年份：2008
随着发光二极管质量的不断提高，各种颜色发光纷绮涌现。将发光二极管应用于物理教学试验，改进一些实验方法，可获得良好的效果。本文介绍了运用发光二极管改进电磁振荡实验，法拉第......
[期刊论文] 作者：王琳,李述体,
来源：沿海企业与科技 年份：2005
发光二极管(LED)产业是高速发展的高科技产业,特别是半导体LED照明时代即将到来,为广东的LED产业带来了许多机遇和挑战.广东省应根据本身LED产业的现状制定适合广东LED产业发...
[期刊论文] 作者：李述体,莫春兰,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
对ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ：Ｓｉ薄膜进行了研究，研究表明随ＳｉＨ４／ＴＭＧａ流量比增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降，Ｘ射线双晶衍射峰半高宽增加，同时这发射强度得到了大大的提高，并报导了随ＳｉＨ４／ＴＭＧａ流量比增大，ＧａＮ：Ｓｉ的生长速率降低的......
[期刊论文] 作者：李述体,王立,
来源：半导体学报 年份：2000
使用ＭＯＣＶＤ技术在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ：Ｍｇ薄膜。通过对退火后样品的光电性能综合分析，研究了掺Ｍｇ量对生长Ｐ型ＧａＮ的影响。结果表明：要获得高空穴载流子浓度的Ｐ型ＧａＮ，Ｍｇ的掺发查必须控制好，掺Ｍｇ量较小时，ＧａＮ：Ｍｇ单昌膜呈现......
[期刊论文] 作者：江风益,李述体,
来源：发光学报 年份：2000
获得高质量的ｎ型ＧａＮ基我电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流子浓度高达２×１０＾１９ｃｍ＾－３，迁移率达１２０ｃｍ＾２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜；并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的......
[期刊论文] 作者：李述体,江风益,等,
来源：半导体学报 年份：2001
采用MOCVD技术在Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜，以卢瑟福背散射／沟道（RBS／Channeling)技术和光致发光（PL）技术和InxCa1-xN/GaN/Al2O3样品进行测试，获得了合金层的组分，厚度，元...
[期刊论文] 作者：李述体等,王立,
来源：发光学报 年份：2000
对实验室用ＭＯＣＶＤ方法生长的未掺杂ＧａＮ单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明：在室温时未掺杂ＧａＮ单晶出现的能量为２．９ｅＶ左右蓝带发光与被偿度有较强的依赖关系。高补偿ＧａＮ的蓝带发射强，低补偿ＧａＮ的蓝带......
[期刊论文] 作者：王立, 李述体, 江风益, 余淑娴,,
来源：化学教育 年份：2001
本文概述了GaN基发光材料的基本特性和GaN基器件的应用领域及未来的发展前景.简述了GaN基材料的生长技术,着重介绍了金属有机化学气相淀积法....
[期刊论文] 作者：苏军,李述体,尹以安,曹健兴,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2010
利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇（IPA）及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si（001）平面衬底上刻蚀出侧面为（111）面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬......
[期刊论文] 作者：刘超,李述体,仵乐娟,王海龙,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2013
采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及其作用．结果表明，当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时，发光二极管的发光强度最大，大注入电流下的效率衰减量......
[期刊论文] 作者：郑树文,范广涵,李述体,周天明,,
来源：量子电子学报 年份：2007
利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器（DBR）进行了反射谱的理论分析。计算表明，入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系，与高周期DBR反射率近似线性关......
[期刊论文] 作者：尹以安,章勇,范广涵,李述体,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变，实验生长了相应的样品，并通过双晶衍射（XRD）和拉曼（Raman）光谱实验证实其具有......
[期刊论文] 作者：方文卿,李述体,刘和初,江风益,
来源：发光学报 年份：2004
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向...
[期刊论文] 作者：石培培,严启荣,李述体,章勇,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2012
在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p-AlGaN电子阻挡层和反对称n-AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED)。结果发现,...
[期刊论文] 作者：丁少锋,范广涵,李述体,肖冰,
来源：物理学报 年份：2004
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺...
[会议论文] 作者：李述体,范广涵,章勇,尹以安,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
...
[会议论文] 作者：李述体,莫春兰,李鹏,王立,熊传兵,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究，研究表明随SiH/TMGa流量比增大，GaN:Si单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降，X射线双晶衍射峰半高宽增加，同时带边发射强度得到了大大的提高，并报导了......
[期刊论文] 作者：丁少锋,范广涵,李述体,肖冰,,
来源：物理学报 年份：2007
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺...
[会议论文] 作者：方文卿,李述体,刘和初,江风益,
来源：第八届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2002
本文采用适合宽禁带材料的ECV设备测量了自己在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.在此基础上,通过引入主扩散模型,对结果进行了高斯拟合,得出了硅在高...
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