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[期刊论文] 作者：龚海梅,李言谨,方家熊,
来源：红外与激光技术 年份：1995
ＨｇＣｄＴｅ表面钝化新方法龚海梅，李言谨，方家熊（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文首次提出了脉冲式阳极氧化生长ＨｇＣｄＴｅ表面钝化膜的方法，自行设计研制成功一种新颖的脉冲式阳极氧化装置，获得了优于传统...
[会议论文] 作者：李言谨,,
来源： 年份：2004
采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力,根据膨胀合金的特性,提出了两种焦平面器件结构,可以有效地降低热应力,并应用于...
[会议论文] 作者：李言谨,
来源：第八届全国红外技术交流会 年份：1988
...
[期刊论文] 作者：李言谨,,
来源：科技导报 年份：2011
采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力,在碲镉汞/硅/宝石片三层结构中,低温下碲镉汞受到张应力,易于损坏。根据膨胀合...
[期刊论文] 作者：房骏,李言谨,
来源：红外与毫米波学报 年份：1999
介绍了相关双采样法（ＣＤＳ）、四δ采样、差分平均法等方法对像元复位噪声（ＫＴＣ）的抑制作用，从理论上分析了这几种方法对输入噪声的影响，将这几种方法用于线列红外焦平面，并对不同方法对噪声改......
[期刊论文] 作者：李言谨,方家熊,
来源：半导体学报 年份：1999
根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移率的新方法。实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度。...
[会议论文] 作者：方家熊,李言谨,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法。实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度。...
[期刊论文] 作者：李言谨,朱龙源,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
从理论和实验上分析了HgCdTe光导(PC)及扫积型(SPRITE)器件的瞬态衰退过程,结果表明在高偏置电场下,光导器件的衰退过程近似线性,扫积型器件的衰退过程近似矩形.由衰退过程曲...
[期刊论文] 作者：龚海梅,李言谨,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
从理论上分析了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列器件的冷屏效应，计算了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角（ＦＯＶ）及其在３００Ｋ背景辐射下的背景限探测率，并将实际的１８０ＨｇＣｄＴｅ线列探测器件每个光敏元的性能同理论进行了......
[期刊论文] 作者：王晨飞,李言谨,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
对中波HgcdTe光伏探测器进行了不同目标温度范围的黑体辐射I-V测试研究，结果表明器件光电流随着目标辐射的升高逐渐上升，同时器件微分阻抗随之下降；在同一背景红外辐射下，器件微......
[期刊论文] 作者：文静,王玲,李言谨,
来源：红外 年份：2008
I-V特性是表征光伏器件性能的重要指标．在用电压扫描方式对一些器件进行I-V测试时，会出现零偏压电流为正向电流的现象．本文通过分析结电容对光伏器件电流电压测试的影响，对这种现......
[期刊论文] 作者：王自筠,李言谨,
来源：功能材料与器件学报 年份：1995
使用装有超微显微度测试仪的扫描电子显微镜，对不同取向的ＨｇＣｄＴｅ晶片施加负荷，负荷压力从２克－０．０５克。由于晶体具有各向异性，在相同压力下，不同取向的ＨｇＣｄＴｅ晶片中引起的损伤有明显差异，实验得到了损......
[会议论文] 作者：张卫军,李言谨,
来源：第十二届全国红外科学技术交流会 年份：1996
用光电导衰退测量了不同背景下载流子有效寿命，用红外探测器的标准测试方法测量了不同背景下器件的性能。降低背景辐射量可使器件性能有很大提高，用测试过的器件的参数经理论计......
[会议论文] 作者：龚海梅,李言谨,
来源：第十二届全国红外科学技术交流会 年份：1996
建立了一套碲镉汞薄晶片加工过程中的少子寿命面分布自动检测系统，用于碲镉汞多元光导器件制备工艺生产线，获得了１８０元器件性能分布同薄晶片少子寿命分布一致的结果。...
[会议论文] 作者：胡亚春,李言谨,
来源：第八届全国红外技术交流会 年份：1988
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[期刊论文] 作者：茅文英,李言谨,
来源：中国激光 年份：1995
介绍使用两个红外导体激光器，一束为呆调谐Ｐｂ１－ＳｎＴｅ激光，另一束为ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光，经光谠系统均会 聚成φ２５μｍ的小光点，且将二光斑成象在同一位置上，实验测与光斑的尺寸，最后用此光学系统研究了窄禁带半......
[期刊论文] 作者：胡晓宁,李言谨,等,
来源：半导体学报 年份：2001
利用热场发射理论和数值计算方法，分析了碲镉汞光伏器件的电流－电压特性，提取了金属－半导体（MS）界面参数，并对这些参数进行了讨论。结果表明，Sn/Au金属膜－碲镉汞薄膜PN器件的电极界面......
[期刊论文] 作者：胡晓宁,李言谨,方家熊,
来源：红外与毫米波学报 年份：2001
根据金属-碲镉汞接触的基本电流-电压关系,深入讨论了金属-半导体(MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响,并对实际器件的测量数据进行了分析比较....
[期刊论文] 作者：李言谨,危峻,胥学荣,
来源：红外与毫米波学报 年份：2010
根据线阵碲镉汞焦平面中少数载流子的横向收集物理特性,提出了一种改善红外焦平面图像质量的处理方法,并应用于某试验卫星的遥感图像上.这些遥感图像是采用上海技术物理研究...
[期刊论文] 作者：胡晓宁,李言谨,方家熊,
来源：半导体学报 年份：2001
利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行了讨论 .结果表明 ,Sn/Au金属膜 -碲镉汞薄膜...
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