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[期刊论文] 作者：,
来源：电子元件与材料 年份：2004
主任委员 周济副主任委员 温学礼 李志武 侯崇膺 李言荣 钟彩霞顾 问 邓雷 董贻中 李标荣...
[期刊论文] 作者：李标荣,
来源：电子元件与材料 年份：1991
气敏半导瓷的阻值随所处环境气氛的不同而变化。不同类型半导体陶瓷,将对某一类或某几类气体特别敏感。一般,气体与敏感陶瓷的作用部位只限于表面,其敏感特性和敏感体的烧结...
[期刊论文] 作者：李标荣,
来源：电子元件与材料 年份：1991
三、氧化铁型气敏半导体陶瓷三氧化二铁型气敏陶瓷是80年代才开始发展起来的,加上氧化锡和氧化锌,是目前已经商品化的三大类陶瓷敏感体。与前两类相比,氧化铁类气敏陶瓷...
[期刊论文] 作者：李标荣,
来源：硅酸盐学报 年份：2001
研究了用于表面层和晶粒边界层型的BaTiO3,SrTiO3陶瓷的还原、再氧化、掺杂与替位固溶的情况.并对这类陶瓷的半导化特性与工艺过程的关系作了讨论文中指出:只有良好的再氧化...
[期刊论文] 作者：李标荣,,
来源：材料导报 年份：1989
陶瓷是一种硬而脆的无机多晶体,在室温下不具任何延展性或可塑性。其根本原因在于:(1) 陶瓷晶粒内部具有离子键或带有一定共价键型的过渡型键。和金属型键不同,在外力作...
[期刊论文] 作者：李标荣,
来源：华中工学院学报 年份：2004
近几年发展起来的湿敏半导瓷,虽然在各种技术性能方面都有了较大的改进,但是在我国这方面的理论研究工作却仍做得很少,因而使湿敏材料及其器件的进一步发展受到了阻碍.本文从...
[期刊论文] 作者：李标荣,庄严,
来源：电子元件与材料 年份：2002
基于自由能越低越稳定原理和芯-壳结构模型，论述了晶粒边界型陶瓷电容器（GBBLC）的形成。根据晶格结构紧密程度和结合能的大小，讨论了SrTiO3陶瓷半导化的途径。通过再氧化、施主离......
[期刊论文] 作者：汤清华,李标荣,
来源：电子元件与材料 年份：1992
分析了金属铂盐对钇系高温超导体的改性作用。金属铂作为一种催化剂和气体载体,掺入高温超导材料后,对其结构和性能都有较大影响。...
[期刊论文] 作者：李标荣,徐家齐,
来源：电子元件与材料 年份：1991
研究了SnO_2掺杂对YBa_2Cu_3O_x高温超导体临界电流密度J_c的影响,并得出掺杂量及烧结温度对J_c的影响规律。适当的低掺杂[w=(1～2)×10~(-2)]有利于J_c的提高,对于w=2...
[期刊论文] 作者：徐家齐,李标荣,
来源：电子元件与材料 年份：1990
研究了YBa_2Cu_3O_x氧化物超导体的合成机理,分析了粉料结块的原因,讨论了BaCO_3热分解速率缓慢以及合成反应不充分等问题。在此基础上提出了定向合成单相YBa_2Cu_3O_(7-δ)...
[期刊论文] 作者：李标荣,廖杰,
来源：电子元件与材料 年份：1993
对PTCR(正温度系数热敏电阻)发热体在工作状态下低压电阻值增加和负荷功率衰减的现象作了实验研究,弄清了这两种现象的相关规律,并对其机理进行了探讨。...
[期刊论文] 作者：李标荣,徐家齐,
来源：低温与超导 年份：1991
本文研究了SnO_2掺杂对YBCO超导体T_C的影响。由于SnO_2的掺入,使YBCO超导体T_C从92K提高到97K,而且T_C随掺杂量的增加而出现峰值,峰值还与烧结温度有关。本文借助于XRD和电...
[期刊论文] 作者：李欣山,李标荣,
来源：低温与超导 年份：1996
利用熔融淬火技术制备出颗粒体密度大，反应活性高的粉体，从根本上改善了铋系超导陶瓷的烧结性能并利用轧膜成材技术制备出超导性能良好的致密Ｂｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＯ陶瓷线（带）材。......
[期刊论文] 作者：潘五一,李标荣,
来源：压电与声光 年份：1992
本文根据PZT压电陶瓷的压电与弹性特性,应用谐振理论对其压电基波频率附近的压电位移作了计算;另一方面,采用一种高频激光双束干涉仪,测量了压电位移的位移量。其实测值和理论计算值是一致的。......
[会议论文] 作者：李欣山,李标荣,
来源：中国电子学会电子元件学会第七届学术年会 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：李标荣, 章士瀛,,
来源：电子元件与材料 年份：1999
论述半导体陶瓷电容器的一般工艺，瓷体结构，介电特性及其与一般ＢａＴｉＯ３型陶瓷电容器之差异。着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题、其产生原因及其与工艺因素的相互关系。......
[期刊论文] 作者：李标荣, 鲁圣国,,
来源：电子元件与材料 年份：2004
对铁电陶瓷纳米粉粒的获得,铁电陶瓷纳米粉粒的粒度效应及其相关机理作了比较系统的叙述,进而对铁电陶瓷中微粒结构形成、微粒结构与铁电性能的关系进行分析,认为现在是将纳...
[期刊论文] 作者：李标荣,陈万平,
来源：电子元件与材料 年份：1999
化学镀镍过程对ＰＴＣＲ及ＭＬＣＣ等元件的电性能，往往会产生负面效应，其中氢离子引起的还原作用不可忽视，其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。...
[期刊论文] 作者：李标荣,朱小荣,
来源：电子元件与材料 年份：1997
ＢａＴｉＯ３半导瓷在电功率作用下的ＰＴＣ特性最好用电阻率－电场强度特性曲线表示。ρ－Ｅ特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ－Ｅ特性也不同，ρ－Ｅ持性同时还能表示该元件的......
[期刊论文] 作者：李标荣, 丁爱军,,
来源：电子元件与材料 年份：1995
着重叙述了最新发展起来的、已达规模生产水平的两种片式多层陶瓷电容器新工艺，介绍了它们的生产流程、工艺原理、工艺难点和质量保证，此外还比较了这两种新工艺的优越性与不足......
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