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[期刊论文] 作者：李慧蕊,
来源：真空科学与技术 年份：1999
主要讨论了真空紫外微通道板光电倍增管的工作原理及设计考虑。介绍了这种新型弱光探测器研制过程中的主要关键技术以及该器件所具有的良好性能和广阔的应用前景...
[期刊论文] 作者：李慧蕊,
来源：光电子技术 年份：2000
综述了我所研制的新型紫外探测器的工作原理、结构设计。介绍了这类具有极高灵敏度和超快时间响应探测器的主要技术性能及其在高技术武器装备和民用市场的潜在应用。...
[期刊论文] 作者：李慧蕊,
来源：动动画世界·教育技术研究 年份：2004
现代教育理论认为,学者型教师即专家型教师、科研型教师.学者型教师除了有扎实的知识结构和过硬的专业技能外,观念新是学者型教师素养的核心....
[期刊论文] 作者：李慧蕊,,
来源：光电子学技术 年份：1982
许多工业,龙其是制药业和电子工业,消耗的超纯水量与日剧增。虽然在这些工业中使用超纯水的原因不尽相同,但对超纯水质量标准的要求却大抵相同。当低功率 MOS 集成电路开始...
[会议论文] 作者：李慧蕊,
来源：中国科协首届学术年会 年份：1999
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[会议论文] 作者：李慧蕊,
来源：中国科协首届学术年会 年份：1999
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[期刊论文] 作者：张宝,李慧蕊,
来源：光电子技术 年份：1999
简述了真空紫外ＭＣＰ－ＰＭＴ选择碘化铯做为阴极的依据，介绍了铬膜的透光性及碘化铯阴极的制作与阴极辐射灵敏度的测量，研制出整管，由此得出了相关的结论。...
[期刊论文] 作者：戴丽英,李慧蕊,
来源：真空科学与技术 年份：2000
详细报道了新研制的紫外多阳极微通道阵列光电倍增管。该器件采用了叠合式阵列阳极（１２８×１２８），端窗式“日盲”紫外光电阴极，高增益的Ｚ型微通道板组件，近贴聚焦结构等先进技术，器件的主......
[期刊论文] 作者：李慧蕊,戴丽英,
来源：真空电子技术 年份：1997
介绍了ＭｇＦ２晶体的主要物理性能，研究了它与其它碱土金属卤化物相比，更适合作为真空紫外窗口材料的理论依据，最后简要阐述了其用于整管制作时的洁净工艺。...
[期刊论文] 作者：李慧蕊,顾肇业,
来源：光电子技术 年份：1994
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优...
[期刊论文] 作者：李慧蕊 郝红辉,
来源：现代教育探索 年份：2008
在小学作文教学中，学生常会诉苦：“写不出”、“怎么写”？也就是说，一是学生没有可写的材料；二是有材料可写，却不知怎样去表达。要解决这个问题，关键在于让学生写作时具备“为有源头活水来”的状态，根本途径在于“引导学生关注生活，热爱生活。” 教师要尽可能地引导学......
[期刊论文] 作者：戴丽英,李慧蕊,黄敏,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：王晓耘,温增福,李慧蕊,,
来源：真空电子技术 年份：2011
简述了5英寸半球形微通道板光电倍增管(简称:5″半球形MCP-PMT)的电子光学系统设计和优化试验;整管结构设计、工艺路径设计和光电参数设计。介绍了研制过程中,为确保MCP的增...
[期刊论文] 作者：李慧蕊,赵文锦,申屠军,冯兵,
来源：真空科学与技术学报 年份：2004
一种全新的可用于二维光子计数的真空成像器件--多阳极微通道阵列(multi-anode microchannel array简称MAMA)探测器,能探测单个光子的位置信息.本文详细阐述了该探测器的结构...
[会议论文] 作者：李慧蕊,蒋宝富,徐昌文,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
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[期刊论文] 作者：戴丽英, 李慧蕊, 黄敏, 徐华盛,,
来源：真空科学与技术 年份：2000
详细报道了新研制的紫外多阳极微通道阵列光电倍增管。该器件采用了叠合式阵列阳极 (12 8× 12 8)、端窗式“日盲”紫外光电阴极 (碲铷RbTe)、高增益的Z型微通道板组件、近贴...
[期刊论文] 作者：李慧蕊, 申屠军, 戴丽英, 马建一,,
来源：光电子技术 年份：2007
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上，设计了GaN外延材料的结构...
[会议论文] 作者：戴丽英,徐华盛,李慧蕊,黄敏,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会 年份：1999
该文介绍了最新研制的１２８×１２８阵列ＭＡＭＡ器件。该器件采用了叠合式阵列阳极、三块微通道板及近贴取焦等先进技术，脉冲上升时间为０．３ｎｓ、单光子计数率为２×１０〈’５〉／Ｓ等器件的主要性能参数达到了国外......
[期刊论文] 作者：李慧蕊,顾肇业,马建一,丁辉敏,,
来源：光电子技术 年份：1994
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优...
[期刊论文] 作者：马建一,顾肇业,李慧蕊,丁辉敏,
来源：真空电子技术 年份：1994
通过对透射式ＧａＡｓ光阴极“三物理过程”的描述和理论分析，指出了影响量子效率的不利因素，讨论和提出了克服、消除这些不利因素的方法、措施和途径。Through the description and...
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