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[期刊论文] 作者：施一生,
来源：第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议 年份：2001
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[期刊论文] 作者：南储芳,黄倩,秦伟杰,,
来源：福建质量管理 年份：2017
柯尔施作为西方最重要的马克思主义的代表人物之一,其主要作品有《马克思主义与哲学》及《卡尔“马克思》.柯尔施一生思想经历了三次较大变化,首先由实践性的社会主义和工人...
[期刊论文] 作者：施一生,赵特秀,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对 Pd/W/Si(111)多层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究.实验结果表明,富Pd组分的多层膜对WSi_x的晶化有明显的诱导作用.多层膜中单层膜厚的增加减弱了诱导晶化...
[期刊论文] 作者：邓伟志,
来源：党史纵览 年份：2003
对柯庆施一生进行研究的人可能也不多。要不,在由中央文献出版社出版的一本...
[期刊论文] 作者：王俊华,施一生,张开明,张飞,
来源：实验室研究与探索 年份：2012
设计了一种智能化、功耗低、量程宽、剂量线性好、使用便捷的微型建材放射性检测仪，硬件由89S51单片机、显示控制器、时钟电路、存储器、按键、探测电路及电源等组成。该装置...
[会议论文] 作者：赵特秀,刘洪图,施一生,
来源：第三届全国固体薄膜学术会议 年份：1992
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[期刊论文] 作者：沈波,施一生,赵特秀,许振嘉,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1990
运用X 射线衍射（XRD）、Anger 电子能谱（AES）等方法研究了不同晶面取向的Si 衬底对Pd 硅化物薄膜形成的影响:在Si（111）衬底上,形成外延生长的Pd2Si;在Si（100）衬底上,Pd...
[期刊论文] 作者：施一生,赵特秀,刘洪图,王晓平,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对 Pd/W/Si(111)多层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究.实验结果表明,富Pd组分的多层膜对WSi_x的晶化有明显的诱导作用.多层膜中单层膜厚的增加减弱了诱导晶化...
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,施一生,季航,梁齐,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1994
采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以......
[期刊论文] 作者：施一生,周荣秋,赵特秀,刘洪图,王晓平,
来源：半导体技术 年份：1993
对Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究，实验结果表明：Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜中Ｗ单层膜起了阻挡Ｐｄ－Ｓｉ原子互扩散的作用，随着退火温度的升高，Ｐｄ，Ｗ，Ｓｉ原子的互扩散不断进行，硅化物首先在Ｗ／Ｓｉ界面处生成。由......
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,刘宏图,施一生,翁惠民,郭学哲,
来源：物理学报 年份：1994
利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ＿ｘ／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ＿ｘ薄膜中Ｗ＿５Ｓｉ＿３四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。......
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