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[期刊论文] 作者：吴伟,彭瑞伍,韦光宇,
来源：RARE METALS 年份：1995
ＧｒｏｗｔｈａｎｄＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＡＩＧａＡｓＳｂｂｙＭＯＣＶＤＷｕＷｅｉ；ＰｅｎｇＲｕｉｗｕａｎｄＷｅｉＧｕａｎｇｙｕ（吴伟）（彭瑞伍）（韦光宇）ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ...
[会议论文] 作者：高鸿楷,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在80年代外国对中国禁运，中国真正有自己制造的MOCVD设备应该是1986年算起，1986年，当时的中国科学院上海冶金所，在彭瑞伍先生的组织下，制造了中国...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,,
来源：科学通报 年份：1965
一引言熔盐电化学在理论和实际方面都具有重要的意义。熔盐的电化学性质和用电化学法得出的物理化学性质在了解熔盐特性和研究熔体结构方面提供了有益的资料;它们对建立...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1989
本文总结了十年来上海对Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的材料、特性应用和物理化学方面的研究与发展概况,并展望了其前景。...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1988
一引言Ⅲ—Ⅴ族半导体是比Si更为重要的微波和光电材料。过去对这类材料的体单晶和外延层生长的努力,使它们的质量有很大的提高,从而满足了微波和光电器件的要求。当今,面对...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,
来源：稀有金属 年份：1988
本文介绍了MOCVD化合物半导体的装置、材料及其器件应用的现状与发展,并对此方法的基础研究进展、安全等问题也做了讨论。This paper introduces the status quo and devel...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,
来源：自然杂志 年份：1979
美国《科学美国人》月刊的皮尔先生来华访问期间,7月5日与本刊同仁进行了友好会见。皮尔先生畅谈了他本人和他从1948年接办该刊后的历程。内容丰富,谈吐风趣,对如何办好一个...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1984
1983年全国砷化镓及有关化合物学术交流会于1983年11月21日至25日在上海召开。会议由中国金属学会半导体学术委员会委托上海市金属学会、冶金部有色金属研究总院和中科院上...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1990
1989年10月20日至24日在安徽省太平县由中国有色金属学会半导体学术委员会召开了1989年全国 GaAs 及有关化合物会议和第一届全国 MOCVD 会议。会议由上海冶金所、上海有色金...
[期刊论文] 作者：В.Г.伊凡诺夫,彭瑞伍,
来源：铸工 年份：1954
铁铸件的缺陷可以用各种焊补方法加以修补。有些车间已建立了熟练的技术领导,订有符合于铸件技术条件的操作规程。但是大多数车间内常常没有焊接技师,偶然采用不是经常有理论...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍, 胡金波,,
来源：稀有金属 年份：1998
总结了我国在ＭＯＣＶＤ化合物半导体材料方面的最新进展，重点为ＭＯＣＶＤ化学、ⅢⅤ族和ⅡⅥ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用。为进一步发展我国的ＭＯＣＶＤ材料提出了若干建议。......
[期刊论文] 作者：葛涛,彭瑞伍,
来源：上海金属 年份：1996
叙述上海半导体材料在科研、生产方面取得的重大进展，着重介绍单晶硅、多晶硅，以及Ⅲ－Ｖ族，Ⅲ－Ｖ族，Ⅱ－Ⅵ族为代表的化俣物半导体材料近年来在科研和产业化方面取得的丰硕成果。......
[期刊论文] 作者：余庆选,彭瑞伍,
来源：半导体学报 年份：1995
本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学，Ｚｎ的掺杂效率，Ｉｎ的组分，表面形貌，电学性质的影响研究。...
[会议论文] 作者：余庆选,彭瑞伍,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：韦光宇,彭瑞伍,
来源：稀有金属 年份：1992
为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系...
[期刊论文] 作者：励翠云,彭瑞伍,
来源：稀有金属 年份：1994
用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第......
[期刊论文] 作者：彭瑞伍, 林耀望,,
来源：半导体学报 年份：2004
今年7月 19日-24日在美国召开了第五届国际气相生长和外延会议美国第五届晶体生长会议.会议交流了体单晶和薄膜生长的实验和理论研究,其中着重交流了各国在半导体材料,...
[期刊论文] 作者：张兆春,彭瑞伍,
来源：半导体学报 年份：1998
利用经标志样本集训练的人工神经网络对Ⅲ－Ⅴ、Ⅱ－Ⅵ族二元化合物和Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２、Ⅱ－Ⅵ－Ⅴ２族三元化合物半导体的禁带度和熔点进行了预报，计算结果与实验结果符合较好。......
[期刊论文] 作者：张光春,彭瑞伍,
来源：化学物理学报 年份：1998
稠环烃有机半导体的禁宽度与其分子构裂以及π电子数有关。将可表征分子几何结构特征的拓扑指数－顶点复杂度信息指数和π电子数作为人工神经网络的输入特征量，利用经已知样本集......
[期刊论文] 作者：骆茂民,彭瑞伍,
来源：半导体学报 年份：1989
本文将Gartener方程应用于硅材料,并提出了称之为I_o/I_(ph)-α~(-1)法的光电化学法,用于测定硅中少子扩散长度.文中研究了实验条件对测量结果的影响,讨论了该法的实用价值和...
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