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[学位论文] 作者：张凤祁,,
来源： 年份：2013
功率MOSFET器件在航空、航天等领域的电子学系统中，用作备用电源的功率开关、DC-DC电压变换器、信号发射机等多个部位的关键器件。但是功率MOSFET器件对单粒子效应却存在固有...
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ^60Co gamma rays, electrons and proto
[期刊论文] 作者：阿宝平,姚志斌,张凤祁,
来源：中国物理C：英文版 年份：2009
Radiation hardened CC4007RH and non-radiation hardened CC4011 devices were irradiated using 60Co gamma rays,1 MeV electrons and 1-9 MeV protons to compare the i...
[期刊论文] 作者：何宝平,张凤祁,姚志斌,,
来源：计算物理 年份：2007
模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应．假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理．在整个退火恢复期，采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应．模拟结......
[期刊论文] 作者：何宝平,张凤祁,姚志斌,,
来源：原子能科学技术 年份：2007
本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张凤祁,郭红霞,Wojtek Hajdas,
来源：物理学报 年份：2020
为实现对纳米DICE(dual interlocked cell)加固器件抗质子单粒子能力的准确评估,通过对65 nm双DICE加固静态随机存储器(static random access memory,SRAM)重离子单粒子翻转...
[期刊论文] 作者：何宝平,陈伟,张凤祁,姚志斌,,
来源：原子能科学技术 年份：2007
对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100℃等...
[期刊论文] 作者：丁李利,王坦,张凤祁,杨国庆,陈伟,
来源：原子能科学技术 年份：2021
单粒子效应电路级建模与仿真是近年来的热点问题.为实现更高的准确度和更精细的机制分析,研究了单粒子瞬态受重离子入射位置的影响并解析建模,基于纳米尺度测试芯片的辐照试验结果验证了仿真方法的准确性.以此为基础开发了瞬时辐射效应仿真软件TREES,其输入文件......
[期刊论文] 作者：何宝平,张凤祁,姚志斌,罗尹虹,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2006
主要研究了LH4007RH—CMOS器件与^60Coγ射线辐照总剂量、剂量率以及辐照后退火时间和温度的响应关系。试验研究表明，按照美军标1019．4试验步骤，如果器件经0．5～3Gy／s高剂量率辐照后......
[期刊论文] 作者：赵思雄,贝耐芳,孙建华,陈红,张凤,祁立新,
来源：气候与环境研究 年份：2002
以跨越南北半球的亚澳季风区内的暴雨等灾害天气系统为主要讨论内容,分析了影响这一地区的环流和天气系统的主要特征以及它们之间的异同,这对深入了解该区域内季风的影响和降...
[期刊论文] 作者：殷倩,郭刚,张凤祁,郭红霞,覃英参,孙波波,
来源：原子能科学技术 年份：2020
利用中国原子能科学研究院100MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究.获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,龚建成,郭红霞,何宝平,张凤祁,
来源：辐射研究与辐射工艺学报 年份：2005
应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分...
[期刊论文] 作者：姚志斌,张凤祁,何宝平,罗伊红,郭红霞,
来源：核电子学与探测技术 年份：2009
文章利用CPLD及DSP作为系统的核心部件，设计了最大可测256MB、32位的SDRAM辐照效应在线测试系统。系统可以动态监测辐照期间SDRAM的翻转地址、翻转数等参数，基本满足辐照效应的...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,龚建成,姚志斌,郭红霞,张凤祁,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2006
从效应研究的角度出发，利用Labview软件，自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统，详细介绍了其硬件结构和软件设计思想，利用该系统在“强光一号”......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张凤祁,郭红霞,陈伟,丁李利,,
来源：现代应用物理 年份：2017
建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nm SRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能...
[会议论文] 作者：罗尹虹,龚建成,姚志斌,郭红霞,张凤祁,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉...
[期刊论文] 作者：王坦,丁李利,罗尹虹,赵雯,张凤祁,
来源：原子能科学技术 年份：2021
本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析.该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应位翻转截面的预估计算.针对......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,郭红霞,张科营,王圆明,张凤祁,,
来源：核技术 年份：2011
对GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明,0.8 MeV电子束对器件损伤甚于1.2 MeV电子束,饱和漏电流增大,阈值电...
[期刊论文] 作者：琚安安, 郭红霞, 张凤祁, 郭维新, 欧阳晓平, 魏佳男,,
来源：物理学报 年份：2004
利用中国原子能科学研究院的中高能质子实验平台,针对两款商用铁电存储器开展了中高能质子单粒子效应实验研究,发现其中一款器件在质子辐照下发生了单粒子翻转和单粒子功能中...
[期刊论文] 作者：姚志斌,何宝平,张凤祁,张科营,王圆明,,
来源：原子能科学技术 年份：2009
本工作研制基于柱形图分析法的模数转换器辐照效应测试系统。详细描述了系统的测试原理、系统组成、系统控制流程及系统实现的功能。利用该系统在^60Co源上对商用12位AD574AJ...
[期刊论文] 作者：郭红霞,王伟,张凤祁,罗尹虹,张科营,赵雯,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2011
随着器件特征尺寸的不断减小，在器件结构和工艺上采取了新的措施。分析了STI（shallow trench isolation）隔离导致器件电离辐射总剂量效应的损伤机理；对不同工艺集成电路的抗总剂...
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