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[学位论文] 作者：廖学介,
来源：电子科技大学 年份：2011
论文围绕短距离无线通信系统射频前端,讨论了三个方面的研究内容:基于ISM频段的无线局域网(WLAN)射频收发前端有源部分关键模块的研究;WLAN短距离无线通信的射频滤波器的研究...
[会议论文] 作者：廖学介;杨宏春;,
来源：2009年全国天线年会 年份：2009
结合经验公式和仿真软件,设计出了一种用于海事卫星通信系统的圆极化微带阵列天线。天线采用双层结构,介质基片选择泡沫材料,并采用正方形切角的方式实现圆极化。利用高频电...
[期刊论文] 作者：滑育楠, 廖学介, 邬海峰,,
来源：电子世界 年份：2018
本文介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的6–18GHz宽带低噪声单片放大器(LNA)。该双级放大器由两个共源晶体管级联构成,前级放大器主要实现最小噪声匹配,后级放大器主要...
[期刊论文] 作者：王为, 袁野, 廖学介, 滑育楠,
来源：集成电路应用 年份：2022
阐述一款基于GaAsp HEMT的2～6GHz收发多功能芯片的设计，该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器，具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示，在2～6GHz，接收通道增益25dB，噪声系数小于2.5dB，输出P1dB功率13.5dBm，电流小......
[期刊论文] 作者：廖学介, 滑育楠, 刘莹, 邬海峰,,
来源：电子世界 年份：2019
本文叙述了一种基于GaAs pHEMT的宽带功率放大器MMIC设计方法,实现了一款6~18 GHz的1W功放单片。测试结果显示,该功放单片小信号增益24dB,功率增益21dB,输出功率大于31dBm,功...
[期刊论文] 作者：韩娜, 廖学介, 杨秀强, 庞玉会,,
来源：电子世界 年份：2019
设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用...
[期刊论文] 作者：刘莹, 王测天, 邬海峰, 廖学介, 王为,
来源：现代信息科技 年份：2023
介绍了一款基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的2～18GHz超宽带低功耗低噪声放大器芯片的设计，给出了在片测试结果。该芯片采用结合有源偏置和并联负反馈技术的改进型共源共栅放大结构，该结构可以使放大器在超宽带的工作频带范围内实现低噪声、低功耗和较高增益，同时减小放大......
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