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[学位论文] 作者：嵇凤丽,,
来源：哈尔滨工程大学 年份：2012
随着集成电路发展到深亚微米技术时代，Cu/Low-k互连已经取代了Al/SiO2互连，铜互连是决定集成电路性能、可靠性、生产率和成本的重要因素。然而，铜互连的可靠性问题直接影响着芯...
[期刊论文] 作者：嵇凤丽,王颖,高松松,刘云涛,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2012
本文利用ANSYS有限元软件分别对用TaN和ZrN作为扩散阻挡层的Cu/barrier/SiO2/Si结构中铜线的热应力分布进行仿真。研究热载荷350℃到20℃不同阻挡层材料单大马士革和双大马士...
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