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[期刊论文] 作者：周蓉,岳素格,
来源：半导体学报 年份：1998
目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒）且易误触发，本文中采用半导体器件物集成电路技术研制的新一代点火器－－半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝三十......
[期刊论文] 作者：莫艳图,岳素格,,
来源：微电子学 年份：2008
提出了一种快速、精确查找组合逻辑电路失效位置的方法。这种方法对高辐射电路的可靠性评估很有意义。这种方法是通过对电路失效原理的分析，以及对失效概率的估计，来查找组合电......
[期刊论文] 作者：刘琳,岳素格,陆时进,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
A 4-interleaving cell of 2-dual interlocked cells(DICE) is proposed, which reduces single event induced multiple node collection between the sensitive nodes of...
[期刊论文] 作者：刘琳,赵元富,岳素格,,
来源：微电子学与计算机 年份：2010
为了深入了解SEU加固存储单元中多节点翻转的内部电荷收集及电压变化机制,采用准三维模拟工具MEDICI,对DIED加固单元进行器件/电路的混合模拟.结果表明,瞬时浮制节点和电荷的...
[期刊论文] 作者：王亮,岳素格,孙永姝,,
来源：信息与电子工程 年份：2012
针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围。重离子试验结...
[期刊论文] 作者：赵玉姣,岳素格,边强,
来源：微电子学与计算机 年份：2008
设计了一种新的采用0．35μm全数字工艺实现的无电阻的带隙基准电压源。该电路结构引入了差分放大器，以此来产生正比于温度的电压量，同时放大器减小了电路中由电源电压及温度变化......
[期刊论文] 作者：王丹,岳素格,孙永姝,,
来源：微电子学与计算机 年份：2010
由于在抗辐射加固设计（RHBD）中采用了环形栅的版图结构,由此引发了直栅SPICE仿真验证方法对RHBD不适用的问题.通过分析深亚微米工艺技术下环形栅结构的特性,建立了环形栅的有效...
[期刊论文] 作者：肖立伊, 岳素格, 谢学军,
来源：中国集成电路 年份：2005
VSIA(Virtual Socket Interface Alliance)成立于1996年9月,是最早出现的国际性IP标准组织,成员包括系统设计公司、半导体供应商、EDA公司、IP提供商等.其目的是为系统芯片工...
[期刊论文] 作者：王亮,赵元富,岳素格,,
来源：微电子学与计算机 年份：2007
提出了两个抗单粒子翻转（SEU）的锁存器电路SEUT—A和SEUT—B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要...
[期刊论文] 作者：张晓晨,岳素格,李建成,,
来源：微电子学与计算机 年份：2012
对0.13μm部分耗尽SOI工艺的抗辐射特性进行了研究.首先通过三维仿真研究了单粒子事件中的器件敏感区域,随后通过实验分析了器件的总剂量效应.三维仿真研究了离子入射位置不...
[期刊论文] 作者：李志国,岳素格,孙永姝,,
来源：微电子学与计算机 年份：2009
通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的...
[会议论文] 作者：李志国,岳素格,孙永姝,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文结合SMIC-0.18um Silicide CMOS工艺集成电路ESD保护的需要，针对全芯片电源ESD保护和一般I/O ESD保护设计特点，展开对MOS器件及二极管器件用于ESD防护的设计研究。分别考察...
[期刊论文] 作者：岳素格,张晓林,赵馨远,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Heavy ion results of a 65-nm CMOS SET pulse width testchip are given. The influences of device threshold voltage, temperature and well separation on pulse width...
[期刊论文] 作者：郑宏超,范隆,岳素格,刘立全,,
来源：微电子学与计算机 年份：2009
提出了一种新的故障注入仿真方法,研发了故障单元库替换仿真工艺库技术,与以往方法相比,该技术可以方便快速地在目标电路的所有节点上注入故障来模拟SEE,因而更贴近实际物理...
[期刊论文] 作者：赵馨远,张晓晨,王亮,岳素格,,
来源：微电子学与计算机 年份：2014
通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉...
[期刊论文] 作者：王猛,岳素格,赵元富,陆振林,,
来源：微电子学与计算机 年份：2015
为了实现三模冗余计算机三机之间精确、快速的同步,采用SOPC构建微型化三模冗余计算机平台.在传统任务同步的基础上,利用FPGA纯硬件通路和管脚众多的优势,采用数据并行传输和...
[期刊论文] 作者：边强,严祖树,赵元富,岳素格,
来源：微电子学 年份：2006
利用小信号压控电流源（VCCS）电路产生所需零点，是一种先进的低压降稳压器（LDO）频率补偿方法。文章分析了VCCS频率补偿方法的原理和VCCS电路对LDO的瞬态响应及电源抑制（PSR）特性的改......
[期刊论文] 作者：郑宏超,岳素格,王亮,简贵胄,初飞,,
来源：微电子学与计算机 年份：2017
本文提出了利用存储器内建自测试（MBIST）进行专用集成电路（ASIC）内部存储器的单粒子翻转（SEU）检测方法,研究并制定了MBIST的单粒子有效性辐照注量的统计方案,最后在重离子加速器上......
[期刊论文] 作者：胡春艳,岳素格,陆时进,刘琳,张晓晨,
来源：微电子学 年份：2018
为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T).在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存“0”节点不受高能粒子入射的影响,敏感...
[期刊论文] 作者：赵元富,王亮,岳素格,隋成龙,李同德,
来源：上海航天(中英文) 年份：2021
宇航抗辐射加固集成电路是航天工程的核心基础技术。长期以来,美欧等国家对抗辐射加固集成电路持续支持并严格禁运,宇航集成电路的发展和自主可控是我国向航天强国迈进的关键核心基础之一,受到国家的高度重视。本文总结了宇航抗辐射加固集成电路发展特点和我国......
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