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[期刊论文] 作者：丁成玉,岳崇信,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
在电阻率比较高的P-N结隔离外延中,许多同志都发现一种“自隔离”现象。在SiCl_4中不掺杂或掺杂很少的情况下,外延之后,埋层区之间正、反向好象都有一定的耐压,有时漏电流很...
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