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[期刊论文] 作者：宣荣喜,黄兴,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2005
提出了一种供热网温度跟随控制算法.通过对室外环境温度变化方向的实时分析预测,结合动态阈值学习的结果,及时修正供热温度和压力的调控策略,从而达到供热温度跟随室外环境温...
[期刊论文] 作者：宣荣喜,应喆,,
来源：西安电子科技大学学报(自然科学版) 年份：2006
基于AT91M40800微控制器，研究了嵌入式Web服务器实现的软硬件架构．给出了嵌入式Web服务器的具体设计方案、实现方法及其在监控系统中的应用实例，同时讨论了应用的安全性措施．工程......
[期刊论文] 作者：韩丰胜,宣荣喜,
来源：农村电气化 年份：1993
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[期刊论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,马晓华,宣荣喜,,
来源：电子器件 年份：2008
本文提出一种沟道长度为0.125μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构。在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HN...
[期刊论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,马晓华,宣荣喜,
来源：电子器件 年份：2008
本文提出一种沟道长度为0．125μm 的异质结CMOS（HCMOS）器件结构。在该结构中，压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS（HPMOS）与异质结NMOS（HNMOS）的沟道材料，且HPMOS与HNMOS为垂...
[会议论文] 作者：田靖,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用溶胶凝胶法，制备了以BZN薄膜为栅介质的GaN基MIS结构，测试分析了MIS结构样品的表面形貌、薄膜厚度、高频C-V曲线。在实验数据的基础上，得到BZN薄膜相对介电常数为91,CaN...
[期刊论文] 作者：赵丽霞,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2013
采用kp微扰理论，基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，对（101）晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究．结果表明：双轴应变Si（101）材料高对称晶向空穴......
[期刊论文] 作者：赵丽霞,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2012
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制，研究了应变Si1-xGe／（100）Si材料电子散射几率与应力及能量的关系．结果表明：在......
[会议论文] 作者：李敏,张鹤鸣,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
为确保芯片的稳定工作,许多集成电路都需要有高质量的内部稳定电压源,为芯片内部其他电路提供稳定的电压.本文设计了一款适用于芯片内部的具有温度系数低,电源抑制比高,...
[期刊论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,王青,黄大鹏,宣荣喜,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2O5（BZN）薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管（MISFET）栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺...
[期刊论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,朱国良,樊敏,宣荣喜,,
来源：物理学报 年份：2007
优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2 Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 nm,缺陷密度为90 cm-2,键合强度达到153.7 kg...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,,
来源：物理学报 年份：2008
基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111)Si1-xGex(x=0.1—0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,贾新章,戴显英,宣荣喜,
来源：半导体学报 年份：2007
根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,
来源：半导体学报 年份：2008
采用结合形变势理论的k.p微扰法建立了（101）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明：[001],[00],[100]及[00]方向能谷构成了该应变Si的导带带边,其能量值...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,,
来源：物理学报 年份：2008
基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模...
[期刊论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
应变Si材料的能带结构是研究设计高速／高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K．P微扰法建立了（001）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[00......
[期刊论文] 作者：张志锋,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,宋建军,,
来源：半导体技术 年份：2008
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电...
[期刊论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英,,
来源：物理学报 年份：2004
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软...
[会议论文] 作者：傅强,张鹤鸣,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推...
Effects of rapid thermal annealing on crystallinity and Sn surface segregation of Ge_(1-x)Sn_x films
[期刊论文] 作者：苗渊浩,胡辉勇,宋建军,宣荣喜,张鹤鸣,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Germanium-tin films with rather high Sn content(28.04% and 29.61%) are deposited directly on Si(100) and Si(111)substrates by magnetron sputtering. The mechanis...
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