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[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：1991
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[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：原子能科学技术 年份：1997
概要综述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应，着重描述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应损伤机理，并介绍了抗单粒子效应的加固技术。...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文详细介绍电离辐照在Si—SiO_2界面产生的界面态。通过对铝栅和硅栅MOS器件辐照产生的界面态与时间和偏压之关系的研究,发现存在三种类型的界面态,即缓慢建立的、快速建立...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微机发展 年份：1994
本文介绍了国外微型计算机的抗辐射加固的一般情况．为方便起见，首先简单介绍了电子器件核辐射产生的五大效应，即位移效应、电离效应、瞬时效应、电磁脉冲效应和单粒子效应，尔后介......
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
通过测定专门设计的寄生样电流增益，用注入电流法测定CMOS器件的产锁阈值及用JT－1图示仪扫描测定闭锁曲线，有力地证实了体硅CMOS器件经中子辐照后其抗闭锁能力及抗瞬时辐照能力......
[会议论文] 作者：宋钦岐,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第三届学术年会 年份：1985
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[会议论文] 作者：宋钦岐,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会 年份：1987
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[会议论文] 作者：宋钦岐,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
该文是抗辐射预研“国际上先进的加固技术跟踪研究”的部分研究成果。通过文献调研，综述了新近发展的低剂量率效应，美军标MIL-STK-883D总剂量试验方法1019.4和其他低剂量率效应...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
近十几年来,人们愈来愈重视对Si-SiO_2界面的研究,提出了许多测定界面特性和结构的方法。其中,高频和准稳态C-V技术是研究界面特性最有效的方法,已广泛地被人们所采用。例如...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
本文估价了大量生产的有效的微处理器在需要抗辐照加固的某些系统中的适应性。设计并研制了一种微型控制器,用来监测和控制军用的地面操作设备的功能,证明它超过了抗辐照加固...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：质量与可靠性 年份：1990
辐射环境是目前存在的最恶劣环境,在此环境下,几乎所有的电子系统的可靠性都要受到程度不同的影响。因此,研究电子系统和电子器件在核辐射环境下产生的效应是可靠性研究的一...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学 年份：1985
引言 核辐射环境是目前存在的最恶劣环境,对电子系统能够产生严重的损伤和破坏。为了提高电子系统的抗辐射环境能力,即抗核加固,首先必须对电子元器件进行核加固。电子元器...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学 年份：1988
通过工艺参数和电学参数,对不同电阻率和pn结面积的外延晶体管瞬时光电流进行估算。结果发现用一维数学模型引起较大误差,而用三维简化数学模型,估算结果与试验数据比较接近...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
美国《微电子器件试验方法和程序》(MlL-STD-883C)第五次修改稿(1987年5月29日发表)对方法1019“稳态总剂量辐射照方法”作了重大修改。归纳如下: 1.把“原位测试”改为“边...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：质量与可靠性 年份：1990
一、γ射线和电子引起的电离效应 核爆产生的γ射线是原子核释放出的高能电磁辐射。这种电磁辐射的能量约为1兆电子伏,以光速传播。核爆产生的早期核辐射形成一个γ脉冲,对...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：1978
报导了一种108型运算放大器制备过程的分析和工艺研究。从该放大器总剂量辐照特性分析指出,改进大量生产器件的标准工艺,可以提高它们的抗总剂量能力。从损伤机理分析表明,运...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：质量与可靠性 年份：1990
早在五十年代,人们就企图通过系统屏蔽,线路加固来达到电子系统抗核辐射加固的目的。直到六十年代初,由于卫星的坠毁事件,才促使人们深入的研究电子元器件的辐照效应和损伤机...
[期刊论文] 作者：宋钦岐,
来源：质量与可靠性 年份：1990
一、电子系统抗辐射加固措施 1.选择合适的器件 随着抗辐射加固技术的深入研究,发现择合适的器件从线路上采取加固措施是极重要的。选择的器件既要有较好的抗辐射力,又不影...
[期刊论文] 作者：韩林,宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文主要报道用低能(8keV)x射线代替钴-60γ射线进行电离辐照的试验结果,并讨论了剂量增强效应与栅氧化层厚度的关系以及相对二次电荷发射系数与偏置电场强度的关系。...
[期刊论文] 作者：王明刚,宋钦岐,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文详细分析了大量的器件核辐照效应实验数据的具体组成,利用DBASEⅢ建立了电子器件核辐照效应数据库。...
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