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[学位论文] 作者：宋世巍,,
来源： 年份：2013
GaN及其化合物(Al,Ga,In)N材料为直接带隙半导体,带隙从0.64eV(InN)到6.2eV(AIN)宽的范围内连续可调,波长可以涵盖从红外到紫外一个很宽的范围,在全色显示器、高密度光学存贮...
[学位论文] 作者：宋世巍,,
来源：大连理工大学 年份：2009
稀磁半导体（DMS）因其可以利用电子的电荷和自旋特性同时来工作,在新一代光电器件、传感器件、量子计算和量子通信器件等方面具有广阔的应用前景,尤其是（Ga,Mn）N更以超过室温的Tc......
[期刊论文] 作者：宋世巍,
来源：新农村（黑龙江） 年份：2012
如今，在水利工程建设中，被提到最多的就是水利工程施工的质量。一个工程质量的好坏，直接影响着这个工程的成败，关乎人们的安全以及相关方面的利益。在水利工程中，存在着哪些常见的......
[期刊论文] 作者：宋世巍,
来源：新农村（黑龙江） 年份：2012
随着西部大开发的深入和西电东送发展战略的实施，我国要兴建一批大型高水头电站，其泄水建筑物泄流流速均达40～50m/S，给泄水建筑物造成很大的冲击影响，对抗冲磨混凝土和过流面抗冲......
[期刊论文] 作者：李昱材,宋世巍,
来源：学理论 年份：2016
新时期对工科大学生的素质要求越来越高,培养具有创新能力的工科大学生是工科院校的一项重要任务。针对目前工科大学生创新能力培养的现状,通过建设实践教育平台增强工科大学...
[期刊论文] 作者：宋世巍,柯昀洁,
来源：沈阳工程学院学报：自然科学版 年份：2018
采用GaN材料常用的生长设备金属有机化合物气相沉积（MOCVD）系统,以蓝宝石为衬底,在GaN上沉积Al GaN薄膜。通过调整MOCVD中喷淋头与基座间的距离,探讨喷淋头高度对AlGaN薄膜生长...
[会议论文] 作者：柳阳,梁红伟,宋世巍,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：宋世巍,杨德超,梁红伟,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：杨德超,梁红伟,宋世巍,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：王德君,李剑,朱巧智,秦福文,宋世巍,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
降低SiO2／SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2／SiC界面，制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价，获得的氧化膜击穿...
[期刊论文] 作者：杨智慧,秦福文,吴爱民,宋世巍,刘胜芳,陈伟绩,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了（0002）择优取向的ZnO∶Al薄膜。采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术,在ZnO∶Al薄膜衬底上沉积了厚度为3...
[期刊论文] 作者：张东,赵琰,宋世巍,李昱材,王健,毕孝国,
来源：中国粉体技术 年份：2017
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术,以自支撑金刚石厚膜作为衬底,改变缓冲层参数条件,低温沉积氮化镓（Ga N）薄膜材料。实验结束之后,利用反射高能电子衍......
[会议论文] 作者：Dechao Yang,杨德超,Hongwei Liang,Shiwei Song,梁红伟,宋世巍,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲...
[会议论文] 作者：Dechao Yang,杨德超,Hongwei Liang,梁红伟,Shiwei Song,宋世巍,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲度(bow)值对LED芯片的各个光学和电学参数的影响。公式计算的结果表明：不同的衬底弯曲度(bow)......
[期刊论文] 作者：王德君, 高明超, 朱巧智, 秦福文, 宋世巍, 王晓霞,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
采用电子回旋共振（ECR）氢等离子体对n型4H-SiC（0001）表面进行处理,并利用原位高能电子衍射（RHEED）对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条...
[会议论文] 作者：梁红伟,宋世巍,张克雄,申人升,柳阳,杜国同,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：张东, 王存旭, 王晓文, 王健, 赵琰, 宋世巍, 李昱材,
来源：沈阳师范大学学报(自然科学版) 年份：2004
采用新型材料作为本征层很大层度上解决了薄膜材料光衰减的问题,有效保证了薄膜太阳能电池的发电效率。采用可调带隙以及具有量子阱结构InxGa1-xN晶体薄膜作为Ⅰ层,可以有效...
[期刊论文] 作者：宋世巍,秦福文,吴爱民,何欢,王叶安,姜辛,徐茵,顾彪,
来源：功能材料 年份：2009
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术，在蓝宝石（α～Al2O3）衬底上生长出Mn含量约为3％的（Ga，Mn）稀磁半导体薄膜。利用反射高能衍射（RHEED）、原子力显微......
[期刊论文] 作者：王文彦,秦福文,吴爱民,宋世巍,李瑞,姜辛,徐茵,顾彪,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（A......
[期刊论文] 作者：宋世巍,梁红伟,申人升,柳阳,张克雄,夏晓川,杜国同,,
来源：发光学报 年份：2013
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密...
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