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[学位论文] 作者：宁吉丰,
来源：大连理工大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：肖繁彬, 王彦照, 宁吉丰, 张岩,
来源：中国标准化 年份：2021
直腔面发射激光器（VCSEL）具有边发射半导体激光器不可比拟的优点,作为最早商业化的VCSEL器件,850nm VCSEL目前的应用领域已经相当广泛,但国内目前该领域仍处于起步状态,本文对850nm VCSEL外延材料各部分进行了分析和设计,并通过PICS3D（Photonic Integrated Circuit......
[期刊论文] 作者：张岩,王彦照,宁吉丰,杨红伟,陈宏泰,,
来源：半导体技术 年份：2017
针对铷原子能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)。根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构。采用MOCVD技...
[期刊论文] 作者：赵润,宁吉丰,车相辉,蒋红旺,陈宏泰,,
来源：半导体技术 年份：2016
通过数值模拟和实验手段相结合的方法,优化了980 nm单模半导体激光器结构。给出了一种通过计算脊波导单模激光器的光场和电流场的匹配关系来预测芯片阈值电流变化规律的方法...
[期刊论文] 作者：车相辉,宁吉丰,张宇,赵润,任永学,陈宏泰,,
来源：半导体技术 年份：2014
研制了一款大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器。针对高功率900 nm隧道级联激光器存在的光学灾变损伤(COD)和工作电压高等问题,通过Lastip软件和波导模拟软件,设计并...
[会议论文] 作者：张宇,陈宏泰,车相辉,林琳,王晶,宁吉丰,位永平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
异质结双极晶体管(HBT)具有高频、高速、功率密度高、相位噪声低、线性度好等特点,在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中都有广泛的应用。而InP/InGaAs H...
[期刊论文] 作者：车相辉, 张宇, 宁吉丰, 李洪涛, 王晶, 位永平, 张豫黔,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
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[会议论文] 作者：车相辉,张宇,陈宏泰,林琳,王晶,宁吉丰,位永平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
随着数字通信需求的快速增长,过去数年来全球光通讯产业取得了飞速发展.由于光纤的损耗和色散在1310nm和1550nm波长附近最小,1.3μ m和1.55 μ m波段半导体激光器成为光通讯中最重要的光源.为了降低成本,通信系统需要高温下不带致冷器工作的激光器.AlGaInAs/InP......
[期刊论文] 作者：张宇,车相辉,于浩,宁吉丰,杨中月,杨实,陈宏泰,,
来源：半导体技术 年份：2017
二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面...
[期刊论文] 作者：张发智,张岩,彭海涛,宁吉丰,王彦照,王英顺,陈宏泰,
来源：半导体技术 年份：2021
研制了一款基于AlGaInAs/AlGaAs应变补偿量子阱大光腔结构的808 nm半导体激光器。采用金属有机物化学气相沉积方法外延生长,在超高真空环境下进行圆片解理,然后原位沉积钝化膜,最后在镀膜机内沉积增透膜和高反膜,避免了激光器腔面在空气中解理容易使其被空气中......
[期刊论文] 作者：车相辉,张宇,宁吉丰,李洪涛,王晶,位永平,张豫黔,赵润,陈宏泰,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP...
[会议论文] 作者：宁吉丰,陈宏泰,车相辉,王晶,林琳,位永平,张宇,赵润,任永学,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于大功率半导体激光器具有结构简单、体积小、寿命长、易于调制、价格低廉等优点,被广泛应用于各个领域.900nm高功率半导体激光器主要应用于激光测距、激光制导和激光引信、半导体激光瞄准和告警等领域.本文将使用Crosslight公司的LASTIP软件和自主编写的WG7......
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