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[期刊论文] 作者：陈建才,孔金丞,马庆华,,
来源：红外 年份：2011
开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究。通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的纵向组分均匀性。用改进工艺后合成的碲镉汞...
[期刊论文] 作者：王光华, 孔金丞, 李雄军, 杨丽丽,,
来源：中国粉体技术 年份：2011
采用硅烷偶联剂对羰基铁颗粒进行表面改性,研究改性羰基铁粉的热稳定性,利用扫描电镜、红外光谱、差热分析等分析手段,对羰基铁粉表面改性效果和机理进行系统分析。结果表明:...
[期刊论文] 作者：杨春章, 覃钢, 李艳辉, 李达, 孔金丞,,
来源：红外技术 年份：2018
报道了使用分子束外延（Molecular beam epitaxy，MBE）技术，在（211）B碲镉汞（CdZnTe，CZT）衬底上生长中长波双色碲镉汞（HgCdTe，MCT）薄膜材料，生长温度为180℃，研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧......
[期刊论文] 作者：孔金丞, 覃钢, 秦强, 李立华, 毛京湘,,
来源：红外技术 年份：
对碲镉汞红外焦平面热响应图“交叉线”特征起源进行了研究。基于碲镉汞的闪锌矿结构晶体滑移系统理论,讨论了不同滑移面与碲镉汞薄膜生长所用(111)B面和(211)B面交线的方向,...
[期刊论文] 作者：宋林伟, 吴军, 孔金丞, 李东升, 张阳, 李沛, 杨翔,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对...
[期刊论文] 作者：孔金丞,李艳辉,赵俊,唐利斌,姬荣斌,,
来源：红外技术 年份：2007
采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽（FWHM）、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度（EPD）技术对开管变温热处理前后的液相外延（LPE）Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量进行了研究。变温循环热处理能......
[期刊论文] 作者：王静宇, 宋林伟, 孔金丞, 吴军, 洪雁, 张阳, 李东升,
来源：红外技术 年份：2018
基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光...
[期刊论文] 作者：张小雷,孔金丞,马庆华,吴军,杨宇,姬荣斌,
来源：半导体学报 年份：2005
利用傅里叶红外光谱仪测量液相外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜，发现未经腐蚀的原生薄膜材料红外透射光谱经本征吸收后有吸收边倾斜并伴有透射比值偏低的现象．对红外透射光谱的影响因......
[期刊论文] 作者：马庆华,陈建才,吴军,孔金丞,杨宇,姬荣斌,
来源：半导体学报 年份：2005
利用水平推舟液相外延法，以CdZnTe作为衬底，固态HgTe作为Hg补偿源，从富Te-HgCdTe溶液中外延生长大面积HgCdTe薄膜．通过选择合适的温度和生长速率，获得了组分均匀性和重复性较好的...
[会议论文] 作者：李艳辉,杨春章,覃钢,杨晋,李东升,孔金丞,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[期刊论文] 作者：宋林伟, 吴军, 孔金丞, 李东升, 张阳, 李沛, 杨翔, 万,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
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[会议论文] 作者：孔金丞,马庆华,陈建才,吴军,杨宇,姬荣斌,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
回顾了三种主要外延技术即:LPE、VPE(MOVPE、ISOVPE)和MBE生长的外延HgCdTe薄膜材料在各种不同条件热处理的实验结果,总结了热处理过程对薄膜材料产生的各种影响....
[会议论文] 作者：马庆华,陈建才,吴军,孔金丞,杨宇,姬荣斌,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
用水平推舟的方法以固态HgTe替代液态Hg补偿源,在CdZnTe衬底上从富Te溶液中外延生长出组分均匀的HgCdTe薄膜.采用红外透射法测量薄膜的组分及截止波长,并利用光学显微镜小光点系统辅之于机械扫描机构对薄膜的微小区域进行扫描测量.测试薄膜的面积为22×28mm,Δx......
[期刊论文] 作者：袁绶章,赵文,孔金丞,姜军,赵增林,姬荣斌,
来源：红外技术 年份：2021
在富Te生长条件下,通过垂直布里奇曼法制备的部分碲锌镉晶体内存在导电类型转变界面。采用富Te液相外延技术在含有导电类型转变界面的碲锌镉衬底上生长碲镉汞薄膜,制成的红外焦平面探测器响应图上存在明显的响应不均匀分界面。碲锌镉晶体的导电类型转变由缺陷类......
[期刊论文] 作者：熊伯俊,邹雷,杨超伟,秦强,孔金丞,李立华,
来源：红外与毫米波学报 年份：2022
碲镉汞材料为窄禁带半导体，随着工作温度的升高，材料本征载流子浓度会增加，探测器截止波长会变短，暗电流增加等，会导致器件性能降低。碲镉汞红外探测器通常在77 K温度附近工作并获得很好的探测性能，但低温工作会增加探测器的制备成本、功耗、体积和重量等。为了解决这......
[期刊论文] 作者：李雄军, 孔金丞, 王光华, 余连杰, 孔令德, 杨丽丽,,
来源：红外技术 年份：2004
对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态。采用双体相关函数g(r)和电学...
[期刊论文] 作者：王光华,孔金丞,李雄军,杨丽丽,赵惠琼,姬荣斌,
来源：发光学报 年份：2012
采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,...
[期刊论文] 作者：宋林伟,孔金丞,李东升,李雄军,吴军,秦强,李立华,赵鹏,
来源：红外技术 年份：2021
采用金掺杂替代作为深能级缺陷中心的汞空位,可明显提高P型碲镉汞材料少子寿命,进而降低以金掺杂P型材料为吸收层n-on-p型碲镉汞器件的暗电流,明显提升了n-on-p型碲镉汞器件...
[期刊论文] 作者：任洋,覃钢,李俊斌,杨晋,李艳辉,杨春章,孔金丞,
来源：红外技术 年份：2022
本文系统地介绍了国内外研究机构对超晶格界面进行研究时采用的测试分析手段.其中,通过拉曼光谱、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、扫描隧道显微镜(STM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等测试方法可以对InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面类型、界面粗糙......
[期刊论文] 作者：宋林伟,孔金丞,赵鹏,姜军,李雄军,方东,杨超伟,舒畅,
来源：红外与激光工程 年份：2020
昆明物理研究所多年来持续开展了Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究，突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术，将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R0A)从31.3Ω·cm2提升到了363Ω·cm2(λcutoff=10.5μm@80K)，器件暗......
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