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[学位论文] 作者：孔海宽,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2001
该文利用挤压铸造法制备了0.3μm亚微米级颗粒增强AlO/LD2和AlO/LY12复合材料(体积分数分别为20﹪和26﹪)和7μm微米级颗粒增强AlO/LY12复合材料(体积分数为40﹪);以10:1的挤压比进...
[学位论文] 作者：孔海宽,
来源：山东大学 年份：2004
电光Q开关是用于脉冲激光器中使之产生高能激光的重要器件.目前,常用的晶体电光Q开关主要是用DKDP和LiNbO晶体制作的.DKDP晶体光损伤阈值高,光学均匀性好,其电光Q开关一般在...
[会议论文] 作者：胡津,孔海宽,姚忠凯,
来源：第八届全国青年材料科学技术研讨会 年份：2001
利用273恒电位仪测试了在室温下3.5℅NaCl溶液中时效状态对SiCw/2024Al复合材料电化学腐蚀行为的影响规律.结果表明,不同的时效状态对复合材料的点蚀电位没有影响,但却使其点蚀电流发生较大的变化.三种时效状态下复合材料表面点腐蚀程度的不同,是由于复合材料微......
[期刊论文] 作者：尹鑫,张怀金,王继扬,孔海宽,,
来源：压电与声光 年份：2006
用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Al0．5Ga5Ta0．5O14（简称LAGT）单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔顺常数，并和La3Al0．5Ga5Ta0．5O14（LGT）作了比较。LAGT的介电常数ε13=22．8......
[期刊论文] 作者：栾佰峰,姜龙涛,孔海宽,武高辉,
来源：中国有色金属学报 年份：2003
利用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜和万能拉伸试验机等手段考察了粒度为0．3μm的A12O3颗粒(体积分数为26％)增强6061A1复合材料在热挤压前后的显微组织及室温拉伸性能。结果表...
[期刊论文] 作者：胡津,徐丽新,孔海宽,姚忠凯,赵连城,
来源：材料科学与工艺 年份：2003
利用透射电镜观察了经时效处理后复合材料的微观组织结构,用恒电位仪测试了室温下3.5%NaCl溶液中时效状态对SiCw/2024Al复合材料电化学腐蚀行为的影响规律,并利用扫描电镜观...
[期刊论文] 作者：胡津,徐丽新,孔海宽,姚忠凯,赵连城,
来源：材料科学与工艺 年份：2003
利用透射电镜观察了经时效处理后复合材料的微观组织结构,用恒电位仪测试了室温下3 5%NaCl溶液中时效状态对SiCw/2024Al复合材料电化学腐蚀行为的影响规律,并利用扫描电镜观...
[期刊论文] 作者：王辉,严成锋,孔海宽,陈建军,忻隽,施尔畏,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
This study focuses on the effect of V-doping on the ferromagnetism(FM) of 6H-SiC powder.The X-ray diffraction results indicate that V is inserted into the 6H-Si...
[期刊论文] 作者：刘熙,高攀,严成锋,孔海宽,忻隽,陈建军,施尔畏,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由＂倒温度差＂区间的温度、持续时间和＂倒温度差＂绝对值综合决定。在升温程序初期可以采......
[会议论文] 作者：刘学超;忻隽;严成锋;高攀;孔海宽;施尔畏;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
碳化硅(SiC)晶体是一种宽禁带半导体材料,与以第一代硅(Si)、第二代砷化镓(GaAs)为代表的半导体材料相比,SiC晶体具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高...
[期刊论文] 作者：高攀, 刘熙, 严成锋, 忻隽, 陈建军, 孔海宽, 郑燕青,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
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[会议论文] 作者：高攀,刘熙,陈建军,严成锋,忻隽,孔海宽,施尔畏,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3].本文采用高温合成炉,选择Si粉和C粉作为反应物,研究真空预处理、合成温度、合成压力......
[期刊论文] 作者：胡津,孔海宽,徐丽新,姚忠凯,赵连城,褚武扬,
来源：中国腐蚀与防护学报 年份：2003
采用双悬臂梁试验方法研究了经时效处理的SiCw/2024Al复合材料在3.5%NaCl溶液中的应力腐蚀行为,用透射电子显微镜对时效处理后复合材料的微观组织形貌进行了观察与分析,用扫...
[期刊论文] 作者：李静,王继扬,胡晓波,程绣风,刘耀岗,孔海宽,
来源：压电与声光 年份：2003
采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl3(BO3)4晶体.测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱.晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230 nm附近.实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485...
[会议论文] 作者：孔海宽,曾一明,熊开南,郑燕青,涂小牛,施尔畏,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
本文采用高温熔体拉法生长得到一种新型硅酸镓镧类晶体Sr3TaAl1.5Ga1.5Si2O14(STAGS)，并对所制得晶体的物相、结晶质量、组分、压电系数、高温电阻率、透过率开展了研究....
[期刊论文] 作者：曾一明,郑燕青,忻隽,孔海宽,陈辉,涂小牛,施尔畏,
来源：无机材料学报 年份：2011
Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算对Si3N4的高低温相（β、α）进行了对比研究.对于α相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0....
[期刊论文] 作者：涂小牛,郑燕青,陈辉,孔海宽,忻隽,曾一明,施尔畏,,
来源：无机材料学报 年份：2010
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体，并采用高温极化法使晶体单畴化．为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀性，采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定......
[会议论文] 作者：忻隽, 郑燕青, 孔海宽, 陈辉, 涂小牛, 曾一明, 施尔畏,
来源：第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集 年份：2009
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[期刊论文] 作者：高攀,刘熙,严成锋,忻隽,陈建军,孔海宽,郑燕青,施尔畏,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反...
[期刊论文] 作者：王华杰,刘学超,孔海宽,忻隽,高攀,卓世异,施尔畏,
来源：无机材料学报 年份：2017
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六...
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