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[期刊论文] 作者：夏金松,,
来源：法制博览 年份：2004
社会的不断进步与发展给破产法和担保法的完善也提供了良好的条件。然而,以破产法中的担保物为对象予以处理的过程中,其所处环境的复杂性导致破产法和担保法两者之间存在的相...
[期刊论文] 作者：夏金松,,
来源：中外企业家 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：夏金松,
来源：中国民族民间医药杂志 年份：2014
目的：调查呼吸内科病患多药耐药菌感染的基本现状，以探讨多药耐药菌感染的原因，并制定有效的诊治对策。方法：回顾性的分析我院2010年4月--2013年10月呼吸内科94例发生多药耐药菌......
[期刊论文] 作者：谭超,夏金松,
来源：建筑工程技术与设计 年份：2020
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[期刊论文] 作者：夏金松,夏晓妮,
来源：中国药物与临床 年份：2019
冠心病心绞痛为临床多见疾病,一般是由机体内冠状动脉粥样硬化造成冠状动脉血供不充足引起[1,2]。本文研究了麝香保心丸联合硫酸氢氯吡格雷对冠心病不稳定型心绞痛患者中医症...
[期刊论文] 作者：徐连宗,夏金松,
来源：时代潮 年份：2004
每一次犯人的押解,都可能是一次十分危险的旅程,一个惊心动魄的悬念。当最后一个犯人走进军天湖监狱新监舍,监舍的大门缓缓关闭时,参加押解的600多名官兵总算松了一口气。...
[期刊论文] 作者：夏金松,余金中,
来源：飞通光电子技术 年份：2001
从新材料、新结构和新工艺的角度综述了热光开光和热光开关阵列的研究进展。...
[期刊论文] 作者：夏金松,余金中,
来源：物理学报 年份：2004
用最小平方逼近展开传播算子,实现了一种新的半矢量显式高阶有限差分光束传播方法.这种方法中不需要选择参考折射率,并在整个传播常数(包括辐射模的传播常数)分布区域进行逼...
[会议论文] 作者：宋金汶,夏金松,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
高速硅基探测器是硅基光互联中重要的组成部分，而锗探测器具有与硅基CMOS 工艺兼容、响应覆盖通信波段、良好电学性能等优势，是目前制备硅基集成光电探测器的重要方案之一......
[会议论文] 作者：高阁,张莹璐,夏金松,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
本文设计并实验制备了一种基于氮化硅平台的4 通道波分复用器件.器件结构主要基于级联的2×2 马赫曾德干涉仪.该波分复用器件工作在1310nm 波段，具有低于1.6dB 的插入损耗以及低于18dB 的通道间串扰.同时，由于氮化硅相较与硅更低的热光系数，该器件展示了17.5pm/K ......
[会议论文] 作者：胡新广,夏金松,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
在硅基光互联的研究中,量子点发光一直是人们研究的热点,Purcell 效应则常被用来增强量子点的发光效率。而在原子物理中,光学相干和量子干涉是控制自发辐射的基本要素。随着相干控制光学[1]和超材料结构[2]技术的发展,用相干光控制量子点对光的吸收和发射[3]成......
[会议论文] 作者：夏金松,余金中,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
提出了一种与传统SOI(silicon on insulator)MMI-MZI光开关结构完全不同的新型结构——完全基于封闭多模波导的MMI-MZI光开关.这种新型结构放弃了传统MZI开关器件中单模传输的要求,采用多模传输,解决了传统脊形单模波导带来的很多设计和制作工艺困难,比如脊形波......
[会议论文] 作者：王玉西,夏金松,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
传统的电互连因其有限带宽和高功耗,发展遇到了瓶颈.硅基光互连被认为是最有前景的下一代互连技术,但由于硅是间接带隙半导体材料,发光效率低,实现CMOS工艺可兼容的硅基通信波段发光是巨大的挑战,亟需突破.锗量子点具备发光波段在通信波长内,与CMOS工艺兼容等优......
[会议论文] 作者：崔成聪,夏金松,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
自组装锗量子点因其发光在1550nm左右的通信波段,并且其生长方式与CMOS工艺兼容,引起了人们广泛的关注与研究.利用各种微纳谐振腔结构提升Ge量子点的荧光品质,有望成为实现硅基集成的片上光源的重要途径.本文利用光子晶体平板作为F-P腔反射镜，来增强腔内部的Ge量......
[会议论文] 作者：宋金汶,夏金松,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
硅基光互联中一个重要的组成部分就是高速的硅基探测器,而锗探测器具有与硅基COMS工艺兼容、响应波段覆盖通信波段、有着良好的电学性能等优势,成为目前制备硅基集成光电探测器的重要方案之一.利用分子束外延生长高质量Ge薄膜,制备了硅基集成锗PIN探测器,测试到......
[期刊论文] 作者：曾成,李毅,夏金松,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
Ordered GeSi nanowires with a ~10 nm cross section are fabricated utilizing top-down and Ge condensation techniques. In transmission electron microscopy measure...
[会议论文] 作者：李毅,张鹤,夏金松,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：曾成,夏金松,蒋最敏,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：邱幸枝,袁帅,夏金松,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
硅是一种间接带隙半导体材料,这一特性使得硅基光源的发展受到极大的限制,人们为此做出了许多尝试,包括硅纳米晶,特殊材料的参杂和离子注入,拉曼效应,外延生长GeSn材料以及缺陷发光等.其中,晶体硅A-center缺陷中束缚电子和自由空穴进行无声子辅助直接带隙复合产......
[会议论文] 作者：夏金松,曾成,蒋最敏,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
锗与硅材料一样,也是间接带隙半导体,体锗材料仍然不能作为好的发光材料使用.而在量子结构中的量子限制效应可以有效展宽电子和空穴的波函数,显著增加电子和空穴的复合发光几率.锗自组装量子点通过MBE(分子束外延）技术在硅衬底上生长得到,图1为通过MBE得到的锗自......
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