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[期刊论文] 作者:易蓉蓉,, 来源:科学新闻 年份:2013
夏建白,半导体物理学家。中国科学院院士、中国科学院半导体研究所研究员。在低维半导体微结构电子态的量子理论及其应用方面进行了系统研究。担任中国科学院理论物理研究所...
[期刊论文] 作者:卢家银, 来源:科技中国 年份:2007
以简单化解复杂问题,是他做研究的风格,坚持科研服从于应用,使他的研究总是与市场相伴而行...
[期刊论文] 作者:赵学勤, 来源:教育与职业 年份:2006
此前,“科学与中国”院士专家巡讲团重庆报告会举行首场报告时,中科院院士夏建白炮轰高校学费太...
[期刊论文] 作者:闫岩,, 来源:科学新闻 年份:2004
2011年8月,中国科学院半导体研究所夏建白院士参加了由中科院院士...
[期刊论文] 作者:, 来源:中国科技财富 年份:2010
中科院院士、半导体物理科学家夏建白,国家半导体产...
[期刊论文] 作者:, 来源:中国科学院院刊 年份:2013
近日,中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中,与美国劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)汪林望博士研究组合作,在二维半导...
[期刊论文] 作者:, 来源:分析测试学报 年份:2014
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下,取得二维GaS超薄半导体基础研究的新进展,探明...
[期刊论文] 作者:, 来源:人工晶体学报 年份:2014
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中,在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关...
[期刊论文] 作者:, 来源:纳米科技 年份:2014
近日.中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下,取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进...
[期刊论文] 作者:, 来源:中国科学基金 年份:1994
本项研究是中国科学院半导体研究所黄昆、朱邦芬、夏建白等完成的一项优秀科研成果,荣获第六次(1993)国家自然科学奖二等奖。 从1986年开始,黄昆及合作者开展半导体超晶格的...
[期刊论文] 作者:莫党,谭健华,陈宗圭,杨小平,张鹏华,张伟,陈良尧, 来源:半导体学报 年份:1995
对这些样品的光频介电函数谱进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较。上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样...
[期刊论文] 作者:夏建白, 来源:物理 年份:2004
文章介绍了半导体量子阱、超晶格的基本物理,以及它在光电子领域中的应用,包括量子阱、量子线、量子点、激光器、光调制器、自电光效应器件、量子点器件等....
[期刊论文] 作者:夏建白,, 来源:中国科学院院刊 年份:2004
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者:夏建白, 来源:中国科技奖励 年份:2020
前不久写过一篇关于美国贝尔实验室的文章,主要强调该实验室重视基础研究成果转化为生产力,尽快制成高科技产品推向市场,使美国的科学技术水平稳居世界第一。但是贝尔实验室...
[期刊论文] 作者:夏建白, 来源:红外与毫米波学报 年份:1994
Si/Ge超晶格外延生长技术的发展和多孔硅发光现象的发现引起了对硅基低维结构材料的关注。本文简单综述了近年来在Si/Ge超晶格电子态和光学性质、调制掺杂Si/GexSi1-x异质结构输运性质以及多孔发光......
[期刊论文] 作者:夏建白,, 来源:半导体学报 年份:1984
从原子的局域赝势出发,利用线性响应理论求得了替代杂质在硅中产生的屏蔽微扰势.用赝原子轨道的集团方法计算了各种杂质原子在硅中产生的深能级.得出,短程势和长程势对深能级...
[期刊论文] 作者:夏建白, 来源:半导体学报 年份:1998
硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的。本文介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质、掺稀土离子,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制......
[期刊论文] 作者:夏建白,, 来源:物理 年份:2016
黄昆先生是2005年7月6日逝世的,至今已经11周年了。他一直活在我的记忆中。又逢教师节,我赶写几个片段,寄托对导师的思念、感恩之情。1970年,江崎(Leo Esaki)和朱兆祥(Ray Ts...
[期刊论文] 作者:夏建白, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1989
最近半导体超晶格已经由二维发展到一维,甚至零维。因为在零维超晶格中电子运动在三个方向上受到约束,预料将会出现更加明显的量子尺寸效应,例如:将出现一系列分立的量...
[期刊论文] 作者:夏建白, 来源:物理 年份:1989
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