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[学位论文] 作者：商新超,,
来源：东南大学 年份：2019
为了解决高性能SoC芯片应用负载多变下的能效需求,近几年提出的超宽电压范围电路得到了广泛关注,它通常涵盖近/亚阈值区至常规电压区,可满足高负载时的高性能需求及低负载时...
[学位论文] 作者：商新超,
来源：南开大学 年份：2015
近几年，大量低功耗应用开始兴起，这些应用包括射频识别(RFID)，无线传感节点、医疗电子。而降低电源电压作为首先可以二次方的降低动态功耗和线性的降低漏电功耗，极低电压数字电路......
[期刊论文] 作者：商新超,袁甲,张福海,,
来源：微电子学与计算机 年份：2016
由于商用标准单元无法支持在极低电压下工作,为使数字电路能够工作其最优能耗点,采用smic130nm CMOS工艺,对近/亚阈值电压下标准单元库的设计方法展开研究,定制了近/亚阈值的...
[期刊论文] 作者：卢奕岑,蒋见花,袁甲,商新超,,
来源：微电子学与计算机 年份：2015
在现代集成电路设计中,常采用多电压域的设计方法来降低系统功耗.为满足供电电压不同的电压域之间信号电平的转换,需要插入电平转换单元（Level Shifter）.提出了一种宽范围低功...
[期刊论文] 作者：袁甲,张苏敏,商新超,陈黎明,黑勇,,
来源：微电子学与计算机 年份：2014
为满足无线传感节点对极低功耗的要求,提出了一种基于商用标准单元库的极低电压电路设计方法.采用一种量化评价稳定性的标准,对SMIC 130nm RVT标准单元库进行评价,得到其能够...
[期刊论文] 作者：蔡江铮,张苏敏,袁甲,商新超,陈黎明,黑勇,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
This paper presents a 6 kb SRAM that uses a novel 10 T cell to achieve a minimum operating voltage of 320 m V in a 130 nm CMOS process. A number of low power ci...
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