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[学位论文] 作者：周幸叶,
来源：北京大学 年份：2013
随着体硅MOSFET特征尺寸的逐步缩小而将接近物理极限，很多非传统的器件结构被提出来从而继续维持摩尔定律。双栅MOSFET因具有诸多优点，如较薄的沟道硅膜厚度、较强的短沟抑制能...
A continuous analytic channel potential solution to doped symmetric double-gate MOSFETs from the acc
[期刊论文] 作者：何进,刘峰,周幸叶,张健,张立宁,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
A continuous yet analytic channel potential solution is proposed for doped symmetric double-gate (DG) MOSFETs from the accumulation to the strong-inversion regi...
,Transient simulation and analysis of current collapse due to trapping effects in AlGaN/GaN high-ele
[期刊论文] 作者：周幸叶,冯志红,王元刚,顾国栋,宋旭波,蔡树军,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
In this paper, two-dimensional (2D) transient simulations of an AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) are carried out and analyzed to investigate t...
Transient simulation and analysis of current collapse due to trapping effects in AlGaN/GaN high-elec
[期刊论文] 作者：周幸叶,冯志红,王元刚,顾国栋,宋旭波,蔡树军,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this paper, two-dimensional(2D) transient simulations of an Al Ga N/Ga N high-electron-mobility transistor(HEMT)are carried out and analyzed to investigate t...
[期刊论文] 作者：周幸叶,张健,周致赜,张立宁,马晨月,吴文,赵巍,张兴,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
As a connection between the process and the circuit design,the device model is greatly desired for emerging devices,such as the double-gate MOSFET.Time efficien...
[期刊论文] 作者：周幸叶,谭鑫,王元刚,宋旭波,韩婷婷,李佳,芦伟立,顾国栋,,
来源：中国光学快报:英文版 年份：2019
Ultraviolet(UV) detectors with large photosensitive areas are more advantageous in low-level UV detection applications. In this Letter, high-performance 4 H-SiC...
[期刊论文] 作者：吕元杰,冯志红,宋旭波,张志荣,谭鑫,郭红雨,房玉龙,周幸叶,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于MOCVD外延n^＋GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩...
[期刊论文] 作者：吕元杰,冯志红,宋旭波,张志荣,谭鑫,郭红雨,房玉龙,周幸叶,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件...
[会议论文] 作者：周幸叶,王元刚,宋旭波,顾国栋,敦少博,吕元杰,冯志红,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文对AIGaN/GaN HEMT进行了瞬态仿真和分析，用于研究陷阱效应导致的电流崩塌现象，考虑了陷阱和热效应的耦合影响。结果显示，除了表面陷阱以外，受主型体陷阱也会影响A1GaN/GaN HE...
Large-area 4H-SiC avalanche photodiodes with high gain and low dark current for visible-blind ultrav
[期刊论文] 作者：周幸叶,李佳,芦伟立,王元刚,宋旭波,尹顺正,谭鑫,吕元杰,,
来源：中国光学快报：英文版 年份：2018
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[期刊论文] 作者：房玉龙,冯志红,李成明,宋旭波,尹甲运,周幸叶,王元刚,吕元,
来源：中国物理快报：英文版 年份：2015
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[期刊论文] 作者：吕元杰,宋旭波,何泽召,谭鑫,周幸叶,王元刚,顾国栋,冯志红,
来源：无机材料学报 年份：2018
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010）Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga2O3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓...
[期刊论文] 作者：周幸叶,吕元杰,谭鑫,王元刚,宋旭波,何泽召,张志荣,刘庆彬,
来源：物理学报 年份：2018
量子纠缠作为量子信息理论中最核心的部分,代表量子态一种内在的特性,是微观物质的一种根本的性质,它是以非定域的形式存在于多子量子系统中的一种神奇的物理现象.熵也是量子...
[期刊论文] 作者：周幸叶,吕元杰,谭鑫,王元刚,宋旭波,何泽召,张志荣,刘庆彬,
来源：物理学报 年份：2018
陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断...
[期刊论文] 作者：张健,何进,周幸叶,张立宁,马玉涛,陈沁,张勖凯,杨张,王睿斐,韩雨,陈文新,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
A unified charge-based model for fully depleted silicon-on-insulator (SOI) metal–oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is presented. The propo...
[期刊论文] 作者：吕元杰,冯志红,宋旭波,张志荣,谭鑫,郭红雨,房玉龙,周幸叶,蔡树军,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺...
[期刊论文] 作者：谭鑫,周幸叶,郭红雨,顾国栋,王元刚,宋旭波,尹甲运,吕元杰,冯志红,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
AlGaN/GaN fin-shaped metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors(fin-MOSHEMTs) with different fin widths(300nm and lOOnm) on sapphire substrate...
High-Temperature Performance Analysis of AlGaN/GaN Polarization Doped Field Effect Transistors Based
[期刊论文] 作者：房玉龙,冯志红,李成明,宋旭波,尹甲运,周幸叶,王元刚,吕元杰,蔡树军,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
We report on the temperature-dependent dc performance of AlGaN/GaN polarization doped Geld effect transistors(PolFETs).The rough decrements of drain current and...
High-Frequency AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Regrown Ohmic Contacts by Metal-Org
[期刊论文] 作者：郭红雨,吕元杰,顾国栋,敦少博,房玉龙,张志荣,谭鑫,宋旭波,周幸叶,冯志红,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
Nonalloyed ohmic contacts regrown by metal-organic chemical vapor deposition are performed on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors.Low ohmic contact res...
[期刊论文] 作者：徐森锋,宋旭波,顾国栋,梁士雄,许婧,周幸叶,张立森,郝晓林,林勇,冯志红,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2023
介绍了一款基于GaAs肖特基二极管单片工艺的220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率，倍频器采用多阳极结构，8个二极管在波导呈镜像对称排列，形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题，提高了倍频器的转换效......
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