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[学位论文] 作者：吕业刚,,
来源：湘潭大学 年份：2007
铁电薄膜因其具有独特的铁电性、压电性、介电性、热释电性以及非线性光学等性能,在现代微电子、微机电系统(MEMS)、信息存储等方面有着广泛的应用前景,已经成为当前新型功能...
[学位论文] 作者：吕业刚,
来源：中国科学院大学 年份：2013
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[期刊论文] 作者：吕业刚,刘宏贵,
来源：湖南科技学院学报 年份：2009
用非线性热力学方法，研究了外加应力及组分对外延单畴Pb（Zr1-xTix）O3（PZT）薄膜的相图及物理性质的影响。通过数值计算，得到了PZT薄膜在不同组分下的“外加应力-失配应变”相图。由......
[期刊论文] 作者：尹鑫桃,吕业刚,,
来源：湖南科技学院学报 年份：2009
强激光在等离子体中传播时，从麦克斯韦方程组出发，考虑相对论效应后，得到了圆偏振电磁横渡与尾波相互作用的耦合方程组，并采用一个物理上合理的假设来求解这个耦合方程组，分析了两......
[期刊论文] 作者：吕业刚,邓水凤,龚伦军,杨建桃,
来源：中国有色金属学会会刊：英文版 年份：2006
一种 Landau-Ginsburg-Devonshire (LD ) 类型热力学的理论被用来在相图和取向附生的铁电体的绝缘的性质上描述外部应力的效果在非在电影飞机导致同等地二轴的不合身的衣服火...
Effect of external stress on phase diagrams and dielectric properties of epitaxial ferroelectric thi
[期刊论文] 作者：吕业刚,邓水凤,龚伦军,杨建桃,,
来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China 年份：2006
A Landau-Ginsburg-Devonshire(LD)-type thermodynamic theory was used to describe the effect of external stress on phase diagrams and dielectric properties of epi...
[期刊论文] 作者：吕业刚,梁晓琳,龚跃球,郑学军,刘志壮,,
来源：物理学报 年份：2010
采用热力学非线性理论,研究了外加电场对立方基底Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT)铁电薄膜相变的影响.通过数值计算,得到了“失配应变-外加电场”相图,及外加电场与极化强度的关系.当...
[会议论文] 作者：王国祥,沈祥,吕业刚,戴世勋,聂秋华,王慧,
来源：第八届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛 年份：2015
相变存储器(PRAM)是目前最具潜力的下一代非易失性存储器.PRAM的核心是相变薄膜材料,其中应用最广泛的是GeSbTe体系材料,但是因该材料体系结晶温度较低、晶态电阻较小,以...
[会议论文] 作者：朱伟玲,吕业刚,宋志棠,李思勉,赖天树,
来源：第16届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：朱伟玲,吕业刚,李思勉,宋志棠,赖天树,
来源：第16届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：吕业刚,梁晓琳,谭永宏,郑学军,龚跃球,何林,,
来源：物理学报 年份：2011
采用金属有机物分解法在Pt/Ti/Si(111)基底上制备了退火温度分别为600℃,650℃,700℃的Bi3.15Eu0.85Ti3O12(BET)铁电薄膜,并对其结构及铁电性能进行了测试,再使用扫描探针显...
Mechanism of amorphous Ge_2Sb_2Te_5 removal during chemical mechanical planarization in acidic H_2O_
[期刊论文] 作者：何敖东,宋志棠,刘波,钟旻,王良咏,吕业刚,封松林,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
In this paper, chemical mechanical planarization (CMP) of amorphous Ge2Sb2Te5 (a-GST) in acidic H2O2 slurry is investigated. It was found that the removal rate...
[期刊论文] 作者：王东明,吕业刚,宋三年,王苗,沈祥,王国祥,戴世勋,宋志棠,
来源：物理学报 年份：2015
采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化.Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大.在10 at.%和14...
[会议论文] 作者：王慧;王国祥;沈祥;吕业刚;戴世勋;聂秋华;徐铁峰;,
来源：第八届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛 年份：2015
Ge2Sb2Te5(GST)是相变材料中用于PRAM存储最多的介质材料,这归因于它极佳的电学和结构特性并结合了GeTe良好的热稳定性和Sb2Te3的快速相交能力.不足的是,当GST从晶态到非...
[期刊论文] 作者：何敖东,刘波,宋志棠,吕业刚,李俊焘,刘卫丽,封松林,吴关平,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
Chemical mechanical planarization(CMP) of amorphous Ge_2Sb_2Te_5(a-GST) is investigated using two typical soft pads(politex REG and AT) in acidic slurry.After C...
[期刊论文] 作者：齐磊,王国祥,李双,沈祥,徐培鹏,李军,吕业刚,戴世勋,聂秋,
来源：功能材料 年份：2016
采用磁控溅射法制备了Ge15Ga10Te75薄膜,研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响,并分析了在不同热处理温度（200-280℃）退火后薄膜光学特性的变化.通过扫描电子显微镜、X射线衍射...
[期刊论文] 作者：齐磊,王国祥,李双,沈祥,徐培鹏,李军,吕业刚,戴世勋,聂秋华,,
来源：功能材料 年份：2016
采用磁控溅射法制备了Ge_(15)Ga_(10)Te_(75)薄膜,研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响,并分析了在不同热处理温度(200~280℃)退火后薄膜光学特性的变化。通过扫描电子显微镜...
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