搜索筛选:
搜索耗时3.1023秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 10 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：宋晓岚,邱冠周,史训达,王海波,曲鹏,
来源：湖南大学学报(自然科学版) 年份：2005
选用CTAB阳离子型和SDBS阴离子型分别与Tween 80非离子型表面活性剂进行复配,通过Zeta电位、吸附等温线以及沉降性能测定,研究了混合表面活性剂对水相介质中纳米CeO2颗粒分散...
[期刊论文] 作者：苏冰,李军营,安瑞阳,周迎辉,史训达,
来源：材料科学 年份：2019
在游离磨料多线切割工艺中,钢线切割到单晶与树脂板结合处(尾部)的裂片为常见异常,一直得不到有效的解决,本文分析了裂片位置的受力情况,指出切割浆料粘度高、浆料聚集效应以...
[期刊论文] 作者：冯泉林, 史训达, 刘斌, 刘佐星, 王敬, 周旗钢,,
来源：半导体学报 年份：2006
300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NH3混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区...
[期刊论文] 作者：宋晓岚,杨海平,史训达,何希,邱冠周,,
来源：材料导报 年份：2006
硅材料是现代信息科技的主要载体，而其电化学研究则是正确认识和应用硅材料的前提和基础。从硅的表面和界面特性出发，综述了硅的电化学方面的研究进展，阐述了硅电极的阳极和阴极......
[期刊论文] 作者：刘云霞,史训达,李俊峰,林霖,赵晶,刘卓,,
来源：微纳电子技术 年份：2013
阐述了硅片表面时间依赖性雾(TDH)的形成过程、颗粒分布、形态以及检测方法。时间依赖性雾产生的原因包括清洗后化学液体的残留、清洗后硅片的干燥程度、片盒的洁净度和干燥...
[期刊论文] 作者：宋晓岚,徐大余,张晓伟,史训达,江楠,邱冠周,,
来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China 年份：2008
在有缩放 nano 的 CeO2 磨料的碱的泥浆的硅晶片的电气化学的行为被调查。腐蚀潜力(corr ) 和有泥浆酸碱值值和磨料 CeO2 的集中的 P 类型(100 ) 硅晶片的腐蚀电流密度(Jcorr...
[期刊论文] 作者：周莹莹,张果虎,周旗钢,史训达,林霖,路一辰,
来源：稀有金属 年份：2021
不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得抛光结果的差异性与抛光时......
[期刊论文] 作者：刘卓,王雅楠,刘云霞,索思卓,史训达,苏冰,赵志婷,
来源：材料科学 年份：2019
简述硅单晶生长的原理,阐述硅单晶电阻率样品不同于化学分析样品,不可能完全均匀的原因;探讨在制备的过程中,影响硅单晶样品电阻率均匀性的因素,诸如,不同的掺杂晶体带来的电...
[期刊论文] 作者：史训达,刘云霞,林霖,杨少坤,蔡丽艳,赵而敬,刘卓,
来源：物理化学进展 年份：2018
化学机械抛光后的硅片,都会在去离子水中浸泡一段时间才会做后面的最终清洗。但浸泡时间和浸泡条件会影响到最终的清洗效果。本文研究了不同浸泡条件下,硅片经过最终清洗后表...
[期刊论文] 作者：苏冰,安瑞阳,周迎辉,李军营,郑宇,史训达,刘云霞,刘卓,白,
来源：材料科学 年份：2019
使用游离磨料多线切割技术切割的硅片,切割后的损伤层深度是决定后续研磨去除量的关键因素,直钢丝和螺旋钢丝是游离磨料多线切割中广泛使用的两种不同的钢线,本文通过测试粗...
相关搜索：
