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[期刊论文] 作者：刘训春,
来源：启迪·教育教学 年份：2017
[摘 要] 作业是教学的一个重要的环节，是巩固知识与发展学生能力的一种重要的教学手段。作业的设置既要适应学生的身心发展规律，尊重学生的个性差异，又要调动学生学习兴趣，培养学生各方面的能力，切实实现不同的学生的不同发展。结合教学实践，笔者对作业的设置做了一些......
[期刊论文] 作者：刘训春,
来源：文理导航 年份：2016
【摘 要】兴趣是学习入门的先导，是学习动机的重要心理成分，把学生学习兴趣的培养贯彻于教学之中，使学生学习数学成为乐趣，是我们广大农村初中数学教师的一项艰巨的任务。本文从联系生活实际、感悟数学之美、优化教学方法、精选作业等方面阐述了学生学习兴趣培养的......
[期刊论文] 作者：刘训春,,
来源：中学课程辅导（教学研究） 年份：2019
班主任相对和其他老师比较,是和学生接触最多的,因而也是对学生影响较大的老师.一个合格的班主任首先不仅仅是具有必要的知识,而是更应该有一颗关爱学生的心.苏霍姆林斯基说...
[期刊论文] 作者：刘训春,,
来源：新课程·中学 年份：2019
每当教师节、春节或其他节日我都会收到一位已毕业、曾让我很“难堪”的一位女生的短信.她使我更加确信爱,可以跨越距离,走进心灵.今年已经99岁高龄,仍然奋斗在教学一线,中国...
[期刊论文] 作者：刘训春,
来源：文化博览 年份：2013
能不能找到一种有效的教学策略，使学生在轻松、愉快、和谐的状态下高效学习，使师生在课堂上高效完成教学任务，让学生充分发展。这一问题已经是目前我们农村初中数学教学改革中迫切需要解决的问题。初中数学“学案导学，教学合一”指以“导学案”为载体，导学为方法，教师......
[会议论文] 作者：刘训春,欧文,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：欧文,刘训春,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
提出了一种用ＳｉＯ〈，２〉／正胶／ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ多层膜来制备离子注入掩膜的方法，此方法对ＨＢＴ等ＧａＡｓ器件隔离有很强的实用性。...
[期刊论文] 作者：钱鹤,刘训春,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
将ＫｒＦ准分子激光无铬接触式称相光刻应用于深亚微米ＨＥＭＴ栅图形加工，自行设计，组装了一套实验系统，很地解决了这一器件制作的关键工艺问题，分别采用石英版移相和衬底移相方式，可重复可靠地......
[期刊论文] 作者：陈俊,刘训春,
来源：半导体学报 年份：2001
微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数。采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数，得到了高质量的解。计算结果...
[期刊论文] 作者：钱鹤,刘训春,
来源：半导体技术 年份：1997
设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面，提出将ＫｒＦ准分子激光无铬......
[期刊论文] 作者：张龙海,刘训春,
来源：半导体技术 年份：2001
将TSC-HBT应用于HBT光调制器驱动电路的设计中.SPICE模拟结果显示,眼图张开形状良好,可以满足10Gbit/s光发射模块应用的要求....
[期刊论文] 作者：钱鹤,刘训春,
来源：微细加工技术 年份：1994
本文针对无铬掩模方式，从计算机摸拟和实验两个方面，研究了ＫｒＦ准分子激光（λ＝２４８ｎｍ）接触式移相曝光。得到了０．１μｍ的正胶线条。得出了在接触式相干平行光照射下，移相器与基片间距对光刻线条宽窄......
[会议论文] 作者：钱鹤,刘训春,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[会议论文] 作者：刘训春,钱鹤,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富Ｉｎ沟道Ｉｎ〈，０．４〉Ａｌ〈，０．６〉Ａｓ／Ｉｎ〈，０．８〉Ｇａ〈，０．２〉Ａｓ／ＩｎＰ新结构及用该结构研制的ＰＨＥＭＴ器件。......
[会议论文] 作者：钱鹤,刘训春,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：钱永学,刘训春,
来源：半导体学报 年份：2003
采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号 Gum mel- Poon模型参数 ,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的 190 0 MHz两级 AB类功率放大器 .该功放的...
[期刊论文] 作者：王惟林,刘训春,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
选择刻蚀在ＧａＡｓ工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差，且精度难以控制，因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）可以进行选择......
[期刊论文] 作者：石瑞英,刘训春,
来源：半导体学报 年份：2003
在传统光调制器驱动电路中，所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上．文中在输出级采用共射共基HBT形式后，其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可，从电路......
[期刊论文] 作者：刘训春,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件，并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大......
[期刊论文] 作者：石瑞英,刘训春,
来源：半导体技术 年份：2002
介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和 以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT。讨论了GaAs和InP HBT结构的新进展及其对性能的改善,并对各...
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