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[期刊论文] 作者：刘善喜,
来源：中国林副特产 年份：1997
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[期刊论文] 作者：刘善喜,
来源：中国经济和信息化 年份：2010
2010年“两会”已拉开大幕。统计显示，在全国政协的各项提案中，近半提案剑指高房价。的确，高房价已经成为压在民众心头的一声重石，至于如何缓解高房价，打击囤地则是备受关注的焦点......
[期刊论文] 作者：刘善喜,
来源：集成电路通讯 年份：2011
通过半导体桥点火阵列的设计与制作，研究了半导体桥作为微推进系统点火器的可行性。采用多晶硅材料，研制出了点火电阻1．2±0．2Ω、点火电压9．5V的3×4阵列点火器，为低电压......
[会议论文] 作者：刘善喜,
来源：中国电子学会首届青年学术年会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：夏萍,刘善喜,,
来源：林业勘查设计 年份：2005
分析确定了柴河林业局细鳞河林场调查的药用植物种类,并分别类型进行了统计....
[期刊论文] 作者：张星云,刘善喜,
来源：林业勘查设计 年份：2004
介绍了用林分平均木的冠幅面积和林分经营密度表确定抚育间伐强度的方法,并对两种方法进行了评价....
[期刊论文] 作者：胡雪梅,
来源：北京文学 年份：2020
六十多年的老橘树枝长叶大，只是隔五年十年，就有人挂枝丫上吊，刘善喜到白莲花监狱工作的第二年就碰上了。 那是春上，橘树正开花，满院芬芳，一个女囚犯吊在树丫上。...
[期刊论文] 作者：汪继芳,刘善喜,,
来源：电子与封装 年份：2010
RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的...
[期刊论文] 作者：汪继芳,刘善喜,
来源：电子与封装 年份：2010
LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基...
[期刊论文] 作者：刘善喜,皮德富,
来源：微电子学 年份：1994
本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、锥体半角度θ＿（１／２）、栅孔半径ｒ＿ｇ和锥体高度ｈ的依赖关系。栅压Ｖ＿ｇ＝１００Ｖ，锥体发射阴极对......
[期刊论文] 作者：刘善喜,张月民,
来源：中国林副特产 年份：1998
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[期刊论文] 作者：刘善喜,游建革,
来源：经济技术协作信息 年份：2007
随着天然林保护工程的实施，林业产业不断转产，多种经营不断发展，在实践中不断总结出一些好经营方式和模式，促进了林区经济不断繁荣与发展。农林复合经营也是一个很好经营方式，在实......
[期刊论文] 作者：汪继芳,刘善喜,
来源：集成电路通讯 年份：2010
介绍RFMEMS开关的基本工艺流程的设计，工艺制作技术的研究，实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品。RFMEMS开关样品技术指标...
[期刊论文] 作者：汪继芳,刘善喜,
来源：集成电路通讯 年份：2010
微波MEMS开关是MEMS技术的一个分支，也是二十世纪九十年代以来MEMS领域的研究热点。微波MEMS开关是工作在射频到毫米波频率下的微机械开关，其可动部件是利用微加工技术得到的，具......
[期刊论文] 作者：刘善喜,皮德富,
来源：光电子技术 年份：1993
概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1&...
[期刊论文] 作者：刘善喜,张朝发,
来源：冶金能源 年份：2021
运用试验和数值模拟相结合的方法研究了273氧枪喷头射流的空气动力学特性,结果表明,试验喷头的合理吹氧压力为0.9MPa左右,合理的操作枪位为1600~2000mm;喷头的射流中心线与喷...
[期刊论文] 作者：汪继芳,刘善喜,
来源：集成电路通讯 年份：2010
LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术，它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点，从而使芯片等元器件能够在......
[期刊论文] 作者：徐春叶,刘善喜,,
来源：集成电路通讯 年份：2005
本文论述了标准LIGA技术的工艺过程，对重点工序进行了总结并阐明其工艺要点。介绍了近年发展起来的准LIGA工艺技术，同时重点研究了利用我所薄膜线工艺手段就能加工的UV-LIGA工...
[期刊论文] 作者：徐春叶,刘善喜,
来源：集成电路通讯 年份：2004
对1．2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究，硅膜厚度为80nm。器件采用LDD结构，以提高击穿电压、抑制断沟道效应和热载流子效应；对沟道掺杂能量和剂量进行了...
[会议论文] 作者：展明浩,刘善喜,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文介绍了一种双极与Ｐ沟结型场效应管兼容器件工艺，通过版图设计的优化与工艺实验设计优化得到了满足要求的器件。...
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