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[期刊论文] 作者：何山虎,
来源：城市建筑 年份：2020
在房屋建筑结构的设计过程中,需要通过对优化技术的使用,提高整个工程项目的施工质量,还可以在一定程度上缩短工期并降低施工成本。基于对房屋建筑结构设计中优化设计技术使...
[期刊论文] 作者：何山虎,
来源：砖瓦世界 年份：2021
我国是一个地震频繁的国家.在近代,罕遇地震给国家和广大人民群众造成了巨大的伤害.因此,在工程建设中从决策到技术层面“抗震安全”越来越受到关注.虽然目前的建造工艺突飞...
[期刊论文] 作者：亢效虎,何山虎,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了ＭＺＯＳ结构的电学性质及热处理效应，并进行了Ｘ线衍射分析和电子能谱分析。发现适当温度下的氧退火处理对改善ＺｎＯ膜的Ｃ轴对称性、降低Ｓｉ表面有效电荷密度显著效果。......
[期刊论文] 作者：刘瑞喜,李思渊,何山虎,
来源：半导体技术 年份：1998
对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。The gate-drain, gate-source breakdown voltage contro......
[期刊论文] 作者：亢效虎,何山虎,桑保生,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果．In...
[期刊论文] 作者：曹博,包良满,李公平,何山虎,,
来源：真空与低温 年份：2006
室温下，利用磁控溅射方法在P型Si（100）衬底上沉积了铜（Cu）膜。采用x射线衍射（XRD）和卢瑟福背散射（RBS）分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品，研究了Cu／SiO2/Si（100）体系的扩散和界面......
[期刊论文] 作者：包良满,曹博,李公平,何山虎,
来源：真空与低温 年份：2005
室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜.用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式...
[期刊论文] 作者：曹博,包良满,李公平,何山虎,,
来源：物理学报 年份：2006
室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜.利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征.在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(1...
[期刊论文] 作者：李思渊,何山虎,赵全喜,赵丕鑫,
来源：半导体技术 年份：1977
提高芯片成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少的宝贵经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了...
[期刊论文] 作者：李思渊,何山虎,陈次珀,赵全喜,强小凤,
来源：半导体技术 年份：2004
D触发器用途广泛,需求量很大,因此如何提高其成品率就成为一个重要的课题。从现有工艺实际出发,我们对提高双极型D触发器成品率采取了若干工艺措施,取得了一定成效。关于前...
[期刊论文] 作者：季涛,杨利成,李海蓉,何山虎,李思渊,,
来源：半导体学报 年份：2009
Influences of light irradiation on the negative resistance turn-around characteristics of static induction photosensitive thyristor (SIPTH) have been experiment...
[期刊论文] 作者：崔增文,何山虎,陈弘达,毛陆虹,高建玉,
来源：半导体技术 年份：2003
从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力....
[期刊论文] 作者：李公平, 何山虎, 丁宝卫, 张小东, 丁印锋, 包良满,,
来源：兰州大学学报：自然科学版 年份：2004
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压Va为0,1,3,5,10 kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-Si(111)衬底上,获得Cu/P-...
[期刊论文] 作者：崔增文, 韩建忠, 何山虎, 陈弘达, 孙增辉, 高鹏, 周,
来源：兰州大学学报：自然科学版 年份：2004
提出了一个适用于发射机中驱动电路设计的具有较高计算效率、能准确反映不同频率时与驱动电路互作用的VCSEL等效电路模型.用曲线拟合的方法结合惠普网络分析仪测得的VCSEL反...
[期刊论文] 作者：孙燕杰,何山虎,甄聪棉,龚恒翔,杨映虎,王印月,
来源：半导体光电 年份：1999
系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得......
[期刊论文] 作者：崔增文,韩建忠,何山虎,陈弘达,孙增辉,高鹏,周毅,
来源：兰州大学学报 年份：2004
提出了一个适用于发射机中驱动电路设计的具有较高计算效率、能准确反映不同频率时与驱动电路互作用的VCSEL等效电路模型,用曲线拟合的方法结合惠普网络分析仪测得的VCSEL反...
[期刊论文] 作者：李公平,何山虎,丁宝卫,张小东,丁印锋,包良满,刘正民,朱德彰,
来源：兰州大学学报 年份：2004
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu_n~-(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压V_α为0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-si(111)衬底上,获得Cu...
[会议论文] 作者：李公平,丁宝卫,张小东,刘正民,何山虎,丁印锋,张志滨,朱德彰,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
本文基于文献[4]HaberlandⅡ型装置较系统实验了一定能量的Al、Mo、Cu等团簇束分别沉积在P-Si(111)、P-Si(100)及其SiO基底上生长薄膜的过程和一些结果并和常规磁控溅射的结...
[期刊论文] 作者：王印月,甄聪棉,刘雪芹,闫志军,龚恒翔,杨映虎,何山虎,
来源：半导体光电 年份：2000
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了...
[会议论文] 作者：李公平,丁宝卫,丁印锋,张小东,刘正民,张志滨,朱德彰,何山虎,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
本文基于文献[4]HaberlandⅡ型装置较系统实验了一定能量的Al、Mo、Cu等团簇束分别沉积在P-Si(111)、P-Si(100)及其SiO基底上生长薄膜的过程和一些结果并和常规磁控溅射的结果进行了比较....
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