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[期刊论文] 作者：任大翠,,
来源：兵器激光 年份：2004
本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱（MQW）激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属于n=1的电子-轻空穴（1e-lh）约束粒子跃迁的受激...
[期刊论文] 作者：任大翠,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1990
用四层平板波导的理论:计算了我们研制的半导体大光腔激光器的模式。在给定条件下:可能存在四个模式。这个结果与以前的理论符合的很好。...
[期刊论文] 作者：任大翠,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1993
本文叙述了锁相半导体激光器列阵的工作原理。用耦合模分析的方法给出了远场分布计算公式,以及十条型锁相激光器列阵可能存在的远场分布。分析了双瓣远场和大功率输出的原因...
[期刊论文] 作者：任大翠,王国政,
来源：长春理工大学学报 年份：2002
报道了双包层光纤激光器的发展现状,给出了圆环形和偏心形双包层光纤激光器泵浦效率的计算公式,并对二者进行了比较....
[期刊论文] 作者：王玲,任大翠,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1996
本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法，可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。...
[期刊论文] 作者：张兴德,任大翠,
来源：光学学报 年份：1983
用液相外延法研制了GaAs-(AlGa)As大光腔激光器,并给出它的一些主要参数如脉冲光功率、光束发散角、波长、外微分量子效率等的测试结果....
[期刊论文] 作者：任大翠,王玉霞,
来源：半导体光电 年份：1998
地于半导体分别限制单量子阱激光器，为了降低阈值电流，提高外量子效率，分析和讨论了影响阈值电流和外量子效率的各种因素，并做了一定的数值计算，给出了量佳结构参数。...
[期刊论文] 作者：王玉霞,任大翠,
来源：半导体光电 年份：1998
欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值电流，提高量子效率和延长寿命。为此，在进行了大量的实验后，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获......
[期刊论文] 作者：王玉霞,任大翠,
来源：光学精密机械 年份：1997
区域接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。为此，我们做了大量的实验，找到了降低区域接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６欧......
[期刊论文] 作者：王蓟,任大翠,等,
来源：微纳电子技术 年份：2002
阐述了等电子杂质、掺Er硅、硅基量子结构（包括量子阱、量子线和量子点）及多孔硅的发光机理，综述了90年代以来a-Si/SiO2,SiGe/Si等Si基异质结构材料的优异特性和诱人的应用前景，...
[期刊论文] 作者：任大翠,杨进华,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：2000
异质结构是半导体激光器最基本也是最重要的结构。双异质结构实现了光和载流子的完全限制，使阀值电流密度大幅度下降。异质结构引进的带隙差可以实现高注入比、进一步降低了阀......
[期刊论文] 作者：王晓华,任大翠,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1997
通过对液相外延生长的外延片不同处理处理的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜来观测有源区厚度的有效方法－蒸金法，最优可观察到有源区厚度２０ｎｍ，对设计厚度为１８ｎｍ结构来说，这是一种便利有......
[期刊论文] 作者：王玉霞,任大翠,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1997
欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要降低接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。为此，我们做了大量的实验，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６区域......
[期刊论文] 作者：李含轩,任大翠,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1995
分析了具有缓变折射率分别限制单量子阱的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直于激光器结平面方向上的光强近场分布，进而......
[期刊论文] 作者：任大翠,李含轩,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1995
本文在数据求解分别限制量子阱激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和计算了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器阈值电流密度的影响讨论了激光器的结构参数......
[会议论文] 作者：陈亚孚,任大翠,
来源：中国物理学会半导体微腔物理及其应用学术研讨会 年份：1997
该文从微腔激光器、超晶格量子阱和介质光传输的光流线量子理论三方面的研究成果出发，提出了大尺寸量子效应是微腔物理学中的一条基本规律，也可称为微腔物理学的基本原理之一。......
[期刊论文] 作者：王玲,任大翠,张宝顺,,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1996
本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法,可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。This paper reports the feasibility of reactive...
[期刊论文] 作者：任大翠,李含轩,
来源：光学学报 年份：1995
报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５－３５ｎｍ。宽接......
[期刊论文] 作者：王新桥,任大翠,
来源：光学学报 年份：1988
用液相外延方法制做了十五个氧化物条形半导体激光器集成在一起的耦合多条形激光器,实现了锁相工作,脉冲峰值功率为4W/plane(300ns,5kHz).在对单条形激光器的模式特性完成数值分析的基础上,运用耦合模理论,对耦合多条形激光器的波导特性进行了数值分析和计算,计......
[期刊论文] 作者：宋晓伟,李梅,任大翠,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1999
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ ＧａＡｌＡｓ 大光腔结构激光器。样品１０Ｋ 下光荧光谱的峰值波长为９２６－２６ｎｍ 。样品的测量结果表明， 样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管， 峰值输出功......
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