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[期刊论文] 作者：高剑侠，严荣良，任迪远，林成鲁，李金华，竺士扬,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1994
ＥＦＦＥＣＴＯＦＴＯＴＡＬＩＲＲＡＤＩＡＴＩＯＮＤＯＳＥＯＮＭＯＳＦＥＴｓ／ＳＯＩＧａｏＪｉａｎｘｉａ（高剑侠）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＲｅｎＤｉｙｕａｎ（任迪远）（ＸｉｎｊｉａｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ...
[期刊论文] 作者：张国强，严荣良，余学锋，高文钰，任迪远，赵元富，胡浴红，王英民,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1994
ＲＡＤＩＡＴＩＯＮＥＦＦＥＣＴＯＮＦＬＵＯＲＩＮＡＴＥＤＳｉＯ＿２ＦＩＬＭＳ￥ＺｈａｎｇＧｕｏｑｉａｎｇ（张国强）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＹｕＸｕｅｆｅｎｇ（余学锋）；ＧａｏＷｅｎｙｕ（高文钰...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,严荣良,
来源：核电子学与探测技术 年份：1997
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：核电子学与探测技术 年份：1997
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律...
[期刊论文] 作者：严荣良,
来源：核电子学与探测技术 年份：1985
本文研究了CMOS集成电路在1.5MeV电子辐照下p沟MOS晶体管感生阈电压偏移与辐照期间栅偏条件的关系。在不同器件中导致阈电压负偏最大的辐照偏置,有导通与截止两种。通过研究...
[期刊论文] 作者：张国强,严荣良,
来源：半导体学报 年份：1998
本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行......
[期刊论文] 作者：严荣良,张国强,
来源：核技术 年份：1995
对干Ｏ２和Ｈ２＋Ｏ２栅氧化注Ｆ的Ｓｉ栅Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了８ＭｅＶ和１２ＭｅＶ质子辐照试验，通过分析阈电压和Ｌｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射响应，发现ＭＯＳ结构栅介质中Ｆ的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，导致ＰＭＯＳＦＥＴ较小的阈......
[会议论文] 作者：张国强,严荣良,
来源：第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1997
该文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了......
[会议论文] 作者：张国强,严荣良,
来源：中国电子学会电子产品防护技术'98研讨会 年份：1998
对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中N的引入，能明显抑制辐射感生Si/SiO界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界......
[期刊论文] 作者：严荣良,高剑侠,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。...
[期刊论文] 作者：范隆,严荣良,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
在室温条件下，研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对ＰＭＯＳ主剂量计辐剂量记录－阈电压的稳定性影响，观察了辐射后阈电压在不同机偏条件下的变化趋势和幅度，分析认为慢界面陷阱中电荷的“充......
[期刊论文] 作者：王国彬,严荣良,
来源：计算物理 年份：1992
本文对半导体器件非线性泊松方程▽~2(?)=q/c(n-p-D),提出了一种新的差分格式应用该格式以二维MOSFET管为例,我们计算了零偏条件下的电势分布,并在均匀和非均匀网格情形...
[期刊论文] 作者：严荣良,武超,
来源：中国检验检疫 年份：2015
近日，江苏太仓口岸首次迎来一架乌克兰进口的小型飞机。太仓检验检疫局查验人员介绍，该飞机的收货方为南京某商贸有限公司，此次购买主要用于展览，待市场稳固后将面向私人出售。......
[期刊论文] 作者：严荣良,高剑侠,
来源：微电子学与计算机 年份：1994
采用Ｉ－Ｖ亚阈测量技术，分析了封闭栅和条形栅结构ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件的ｌｏｇＩ－Ｖ曲线亚阈斜率和阈电压的总剂量电离辐照特性，以及不同的辐照偏置条件对上述两个电参数的影响。结果表明，在总剂量辐照下，封闭栅......
[期刊论文] 作者：张国强,严荣良,等,
来源：核技术：英文版 年份：1994
A systematic investigation of γ radiation effects in gate SiO2 as a function of the fluorine ion implantation conditions was performed.It has been found that t...
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：半导体学报 年份：1992
本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的...
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：半导体学报 年份：1996
本文研究了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的ＭＯＳ结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生，氧化物正电荷建立，Ｓｉ／ＳｉＯ２快界面态增长，慢界面态产生和栅介质电容下降，当终止应力后，前三种损伤在室温下有所......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：半导体学报 年份：1995
研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可......
[期刊论文] 作者：严荣良,竺士炀,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1995
将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：核技术 年份：1991
本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随~(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后可动离子减少,对干氧通TCE和纯干氧栅氧化电...
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