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[学位论文] 作者：邢艳辉,
来源：北京工业大学 年份：2008
器件性能的提高主要决定于材料性能的改善,本研究是以GaN基LED结构材料特性为主要研究内容,具体如下： 1.对不同倾角蓝宝石外延薄膜特性的研究,这有利于对不同倾角衬底的合...
[期刊论文] 作者：周艳梅,邢艳辉,,
来源：农技服务 年份：2008
阐述了杨树在春秋冬三季栽植的不同技术特点、成活率和生长量。...
[期刊论文] 作者：邢艳辉,田子欣,,
来源：装备制造技术 年份：2008
介绍了数控编程技术的种类及特点,提出了合理选择数控编程技术有利于优化加工程序、提高编程效率和确保零件精度的方法。...
[期刊论文] 作者：周艳梅,邢艳辉,马光明,
来源：江苏蚕业 年份：2008
桑芽枯病是桑树枝干常见病害之一，一般零星发生，多发病于2～4月份，属真菌性病害，在徐州1998年、2003年部分乡镇部分田块发生，造成部分田块被迫春伐，导致春茧绝收。2007年4月2日调查，在......
[期刊论文] 作者：韩军, 李建军, 邓军, 邢艳辉, 于晓东, 林委之, 刘莹,,
来源：光电子.激光 年份：2008
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[期刊论文] 作者：韩军, 李建军, 邓军, 邢艳辉, 于晓东, 林委之, 刘莹,,
来源：光电子.激光 年份：2008
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[期刊论文] 作者：方志丹,崔碧峰,黄社松,倪海桥,邢艳辉,牛智川,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
通过优化分子束外延生长条件，得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs／GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率（0．001单层／秒）可以把量子点的密度降低到4×10^6cm^-2。这些结果使...
[期刊论文] 作者：徐丽华,邹德恕,邢艳辉,宋欣原,徐晨,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2008
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管（LED）表面进行粗化的技术，使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED，光强提高了27％，光功...
[期刊论文] 作者：韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2008
对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析，用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED，在20mA注入电流下，LED的峰...
[期刊论文] 作者：韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地,
来源：光电子．激光 年份：2008
对用于提高AIGaInP红光发光二极管（LED）出光效率的分布布拉格反射镜（DBR）和增透膜进行了分析，用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了包含DBR和增透膜的LED，在20mA注入电流下，LED的峰......
[期刊论文] 作者：韩军,邢艳辉,李建军,邓军,于晓东,林委之,刘莹,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2008
设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管，该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20mA注入电流下，主波...
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