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[期刊论文] 作者：秦汉, 盛洁, 李雷, 朱灿焰, 毛凌锋,,
来源：电子元件与材料 年份：2018
用分子动力学模拟和第一性原理计算分析方法，研究电场对含空位缺陷硅结构的影响。分子动力学结果表明，硅（100）晶面处的空位数量，总体随着电场强度的增强而增加。当电场在 8.90×10......
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