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[期刊论文] 作者：李海霞,毛凌锋,查根龙,,
来源：微电子学 年份：2011
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化...
[期刊论文] 作者：李亦清,王子欧,李文石,李有忠,陈智,毛凌锋,,
来源：微电子学与计算机 年份：2011
提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明：源漏偏压会...
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