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[期刊论文] 作者:李海霞,毛凌锋,, 来源:半导体技术 年份:2008
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运......
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