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[期刊论文] 作者：刘诗涛,王立,伍菲菲,杨祺,何沅丹,张建立,全知觉,黄海宾,,
来源：发光学报 年份：2017
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之...
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