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[期刊论文] 作者：刘军林,熊传兵,程海英,张建立,毛清华,吴小明,全知觉,王小兰,王光绪,莫春兰,江风益,,
来源：光学学报 年份：2014
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄...
[期刊论文] 作者：黄斌斌,熊传兵,张超宇,黄基锋,王光绪,汤英文,全知觉,徐龙权,张萌,王立,方文卿,刘军林,江风益,,
来源：物理学报 年份：2014
本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究....
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