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[期刊论文] 作者：马丽,高勇,刘静,余明斌,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关...
[期刊论文] 作者：马丽,高勇,刘静,余明斌,,
来源：电子器件 年份：2007
为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p＋、n＋区形成的mosaic结构来代替原常规的n＋区,关断时可同时为电子和空穴的...
[期刊论文] 作者：马丽,高勇,刘静,余明斌,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关...
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