【摘 要】
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综合镓极性(Ga-polar)和氮极性(N-polar)GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)上的欧姆接触特性,提出了一种混合极性的GaN基HEMT结构.通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,分析了该混
【机 构】
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石家庄学院 物理与电气信息工程学院 石家庄 050000河北工业大学 信息工程学院 天津 300130;
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综合镓极性(Ga-polar)和氮极性(N-polar)GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)上的欧姆接触特性,提出了一种混合极性的GaN基HEMT结构.通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,分析了该混合极性GaN基HEMT结构中的二维电子气(2DEG)行为特性,从而为该混合极性HEMT结构的实际应用提供了理论参考.仿真结果表明N-polar AlGaN背势垒的Al组分较其厚度对2DEG的影响更为明显,而将N-polar AlGaN背势垒的Al组分渐变后,可以降低寄生沟道对主沟道2DEG的影响,AlN插入层的引入也可进一步提高2DEG面密度、迁移率及其限阈性.
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