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用化学腐蚀剂腐蚀出样品的(0001)表面上的位错蚀坑，在原生态和退火样品的对应径向线上测量了位错腐蚀坑的密度分布。由位错腐蚀坑的形成理论确定出原生态晶体中很可能有3种位错类型，即Burgers矢量b=1/3<1120>，1/3-<1101>和<1010>的位错线，然而长时间在还原性高温气氛中的退火难以降低晶体中的总的位错密度。在晶体的放肩至等径生长阶段，沿着晶体的生长方向，晶体棒中心的位错密度由高变低，这显示出：在晶体的放肩至等径生长的转变过程中，生长界面发生了翻转，由