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以二硫化钼（MoS2）为代表的半导体二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）具有优异的光电特性,在新型电子器件领域展示出广阔的应用前景。二维MoS2的性能调控与功能协同是实现其在电子器件领域实用化的关键。化学掺杂是调控二维MoS2的性能并丰富其材料特性最为直接而有效的方法之一。本文重点介绍了基于表面电荷转移、面内取代以及层间插层策略的掺杂方法,讨论了各种掺杂方法的基本原理、最新进展以及局限性,最后展望了二维MoS2掺杂研究面临的挑战与发展方向。