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从器件物理的角度，对杂质，掺杂方式不同，形成基区的高耐压晶体三级管1－V负阻效应随机性进行分析。结果认为，负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响，而对发射极－收集极间的真正击穿电压并无减小损失；进一步证明了在SiO2/Si系统中，开管扩Ga形成的晶体管，具有耐压高，漏电流小的特点。