【摘 要】
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JGF348型225～400兆赫晶体管功率模块带宽:225～400兆赫增益:≥31.5分贝输出功率:12.5～15瓦输入驻波系数: 小于2:1工作温度;-55℃～+55℃(环境温度)JGF349型225～400兆赫晶体管功率模
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JGF348型225～400兆赫晶体管功率模块带宽:225～400兆赫增益:≥31.5分贝输出功率:12.5～15瓦输入驻波系数: 小于2:1工作温度;-55℃～+55℃(环境温度)JGF349型225～400兆赫晶体管功率模块带宽:225～400兆赫增益;5.5分贝(最小),7分贝(典型值)输出功率;40～50瓦,输入驻波系数小于4:1工作温度:-55℃～+55℃(环境温度)
JGF348 Type 225 ~ 400 MHz Transistor Power Module Bandwidth: 225 ~ 400 MHz Gain: ≥31.5 dB Output Power: 12.5 ~ 15 W Input VSWR: less than 2: 1 Operating Temperature -55 ℃ ~ + 55 ℃ (ambient temperature) JGF349 225 ~ 400 MHz Transistor Power Module Bandwidth: 225 ~ 400 MHz Gain 5.5 dB (minimum), 7 dB Typical Output Power 40 ~ 50 Watts, Input VSWR Less than 4: 1 Operating Temperature: -55 ℃ ~ + 55 ℃ (ambient temperature)
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